[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201010191817.3
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN102270636A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 黃松輝;藍緯洲;辛哲宏
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/06;H01L21/77;H01L21/336
• 代理公司: 北京匯智英財專利代理事務所 11301
• 代理人: 陳踐實

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于包括：

一個基底；

一層柵極層，設置于該基底上；

一層柵極絕緣層，設置于該柵極層與該基底上；

一層源極/漏極層，設置于該柵極絕緣層上；

一層圖案化保護層，設置于該源極/漏極層上且暴露出部分該源極/漏極層；

一層氧化物半導體層，設置于該圖案化保護層上，且電連接于該源極/漏極層；

一層樹脂層，設置于該氧化物半導體層上且覆蓋該氧化物半導體層且暴露出部分該源極/漏極層；以及

一個像素電極，設置于該樹脂層上且連接至該源極/漏極層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：該氧化物半導體層的材質包含銦、鎵及鋅的至少之一的非晶氧化物。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：該氧化物半導體層的材質包含非晶相銦鎵鋅氧化物。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：該樹脂層為正、負型光阻。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：部分該像素電極直接設置于該圖案化保護層上。

6.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其包括：

形成一層柵極層于一個基底上；

形成一層柵極絕緣層于該柵極層與該基底上；

形成一層源極/漏極層于該柵極絕緣層上；

形成一層圖案化保護層于該源極/漏極層上，且暴露出部分該源極/漏極層；

形成一層氧化物半導體層于該圖案化保護層上，且電連接于該源極/漏極層；

形成一層樹脂層于該氧化物半導體層上且覆蓋該氧化物半導體層且暴露出部分該源極/漏極層；以及

形成一個像素電極于該樹脂層上且連接至該源極/漏極層。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：該氧化物半導體層的材質包含銦、鎵及鋅的至少之一的非晶氧化物。

8.如權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：該氧化物半導體層的材質包含非晶相銦鎵鋅氧化物。

9.如權利要求6所述的薄膜電晶體陣列基板的制造方法，其特征在于：該樹脂層為正、負型光阻。

10.如權利要求6所述的薄膜電晶體陣列基板的制造方法，其特征在于：形成該氧化物半導體層的工藝條件包含通入氧氣與氬氣。