[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201010191817.3
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN102270636A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 黃松輝;藍緯洲;辛哲宏
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/06;H01L21/77;H01L21/336
• 代理公司: 北京匯智英財專利代理事務所 11301
• 代理人: 陳踐實

技術領域

本發明涉及一種晶體管陣列基板，且特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板及薄膜晶體管陣列基板的制造方法。

背景技術

薄膜晶體管陣列基板在顯示裝置中的應用日漸廣泛，例如其可應用于液晶顯示裝置(Liquid?Crystal?Display，LCD)、電泳顯示裝置(Electro-Phoretic?Display，EPD)與有機發光二極管顯示裝置(OrganicLight?Emitting?Diode?Display，OLED)。

以在液晶顯示器中的使用為例，一種現有的薄膜晶體管陣列基板包括基底、形成于基底上的金屬柵極層、形成于金屬柵極層上的柵極絕緣層、形成于柵極絕緣層上的源極/漏極層、形成于源極/漏極層上的非晶相銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)層、形成于a-IGZO層上的保護層以及形成于保護層上的像素電極。

然而，在上述薄膜晶體管陣列基板中，保護層是直接形成于a-IGZO層上，由于保護層的材質通常為二氧化硅，其具有容易產生漏電流的問題，因此會影響薄膜晶體管陣列基板的使用。

因此，如何避免漏電流的產生，以提升薄膜晶體管陣列基板的使用性能實為相關領域的人員所重視的議題之一。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種薄膜晶體管陣列基板，其可避免漏電流的產生。

本發明還提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其制備的薄膜晶體管陣列基板可避免漏電流的產生。

本發明提出一種薄膜晶體管陣列基板，其包括基底、柵極層、柵極絕緣層、源極/漏極層、圖案化保護層、氧化物半導體層、樹脂層及像素電極；柵極層設置于基底上；柵極絕緣層設置于柵極層與基底上；源極/漏極層設置于柵極絕緣層上；圖案化保護層設置于源極/漏極層上且暴露出部分源極/漏極層；氧化物半導體層設置于圖案化保護層上，且電連接于源極/漏極層；樹脂層設置于氧化物半導體層上且覆蓋氧化物半導體層，且暴露出部分該源極/漏極層；像素電極設置于樹脂層上且連接至源極/漏極層。

本發明還提出一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其首先形成柵極層于基底上；接著，形成柵極絕緣層于柵極層與基底上；接著，形成源極/漏極層于柵極絕緣層上；接著，形成圖案化保護層于源極/漏極層上，且暴露出部分源極/漏極層；接著，形成氧化物半導體層于圖案化保護層上，且電連接于源極/漏極層；接著，形成樹脂層于氧化物半導體層上且覆蓋氧化物半導體層，且暴露出部分該源極/漏極層；然后，形成像素電極于樹脂層上且連接至源極/漏極層。

本發明的薄膜晶體管陣列基板的圖案化保護層設置于源極/漏極層上，而氧化物半導體層設置于圖案化保護層上，這可減少甚至避免漏電流的產生，從而可提高薄膜晶體管陣列基板的使用性能。

上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。

附圖說明

圖1A為本發明實施例的薄膜晶體管陣列基板的剖面圖。

圖1B為本發明另一實施例的薄膜晶體管陣列基板的剖面圖。

圖2A-2F為圖1A所示的薄膜晶體管陣列基板的工藝剖面示意圖。

100、200：薄膜晶體管陣列基板????10：基底

11：柵極層??????????????????????12：柵極絕緣層

13：源極/漏極層?????????????????14、24：圖案化保護層

15：氧化物半導體層??????????????16、26：樹脂層

17、27：像素電極????????????????18、28：薄膜晶體管

19：跳線部??????????????????????20：焊墊部

具體實施方式

為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。