[發明專利]陣列基板及其制造方法、液晶顯示器有效
| 申請號: | 201010189885.6 | 申請日: | 2010-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN102263060A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | 劉翔;劉圣烈;薛建設 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/02;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 液晶顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術,特別涉及一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示器。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,簡稱:TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點,在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。TFT-LCD由陣列基板和彩膜基板對盒形成,其中,陣列基板包括襯底基板和形成在該襯底基板上的導電圖案和絕緣層,導電圖案包括柵線、數據線等,柵絕緣層和鈍化層等統稱為絕緣層。近年來,TFT-LCD獲得了飛速的發展,其尺寸和分辨率不斷提高,大尺寸、高分辨率的液晶電視成為TFT-LCD發展的一個主流。
目前,制作TFT-LCD陣列基板上的柵線金屬和數據線金屬一般采用化學性質比較穩定的電阻率比較高的Ta、Cr、Mo等金屬或是合金作為金屬電極的材料。隨著TFT-LCD尺寸的不斷增大,分辨率的不斷提高,柵線的長度也隨之增加,根據TFT-LCD信號的延遲時間T主要由T=RC(其中,R為信號線電阻,C為相關電容)決定的原理,信號延遲的時間也隨之增大,圖像信號的延遲變得更為嚴重,使得某些像素得不到充分的充電,造成亮度不均勻,使得TFT-LCD的對比度下降,嚴重地影響了圖像的顯示質量。為此,現在提出了用低電阻金屬銅制作柵線和數據線,在工藝實現中一般采用濺射的方法沉積金屬銅薄膜,然后進行刻蝕。
但是,采用金屬銅制作柵線和數據線的工藝中,尚存在以下的技術缺陷:首先,濺射沉積銅薄膜并刻蝕的方法使得大量材料無法重復使用,靶材利用率低;其次,濺射和刻蝕形成的金屬銅薄膜對基板的黏附力差;再次,關鍵的是,銅薄膜的刻蝕能力差,無論采用干法刻蝕還是濕法刻蝕都很難刻蝕金屬銅薄膜,刻蝕效果不理想。以上因素都致使不能普遍采用金屬銅制作柵線和數據線,產品的良品率低,嚴重地制約了金屬銅在TFT-LCD的應用,阻礙了大尺寸、高分辨率的液晶電視的發展。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示器,使得陣列基板中的電極線圖案采用金屬銅制作,且工藝效果好,提高產品的良品率。
本發明提供了一種陣列基板制造方法,包括在襯底基板上形成電極線圖案和像素電極圖案,形成所述電極線圖案的步驟包括:
沉積一導電層,并通過構圖工藝形成電鍍電極;
通過電鍍工藝在所述電鍍電極上電鍍形成由金屬銅薄膜構成的所述電極線圖案。
本發明提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括襯底基板,以及形成在所述襯底基板上的電極線圖案和像素電極圖案;所述電極線圖案由金屬銅薄膜構成,且所述電極線圖案的下層設置有一電鍍電極。
本發明提供了一種液晶顯示器,包括對盒設置的陣列基板和彩膜基板,所述陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層;所述陣列基板為上述的陣列基板。
本發明的陣列基板及其制造方法、液晶顯示器,通過采用電鍍工藝制作陣列基板上的金屬銅薄膜材料的電極線圖案,省去了現有技術中制作銅電極線圖案最難的刻蝕工藝,解決了金屬銅刻蝕效果差的問題,使得電鍍形成的金屬銅電極線圖案非常致密、均勻,且導電性能好,黏附力強。
附圖說明
圖1為本發明陣列基板制造方法實施例一的流程示意圖;
圖2為本發明陣列基板制造方法中第一次光刻之后曝光顯影的平面圖;
圖3為本發明陣列基板制造方法中第一次光刻之后曝光顯影的截面圖;
圖4為本發明陣列基板制造方法中第一次光刻電鍍銅之后的平面圖;
圖5為本發明陣列基板制造方法中第一次光刻電鍍銅之后的截面圖;
圖6為本發明陣列基板制造方法中第一次光刻光刻膠灰化之后的平面圖;
圖7為本發明陣列基板制造方法中第一次光刻光刻膠灰化之后的截面圖;
圖8為本發明陣列基板制造方法中第一次光刻刻蝕之后的平面圖;
圖9為本發明陣列基板制造方法中第一次光刻刻蝕之后的截面圖;
圖10為本發明陣列基板制造方法中第二次光刻之后的平面圖;
圖11為本發明陣列基板制造方法中第二次光刻之后的截面圖;
圖12為本發明陣列基板制造方法中第三次光刻之后的平面圖;
圖13為本發明陣列基板制造方法中第三次光刻之后的截面圖;
圖14為本發明陣列基板制造方法實施例二的流程示意圖。
11-襯底基板;??12-透明導電層;????13-光刻膠;
14-凹槽;??????15-柵線;??????????16-柵電極;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





