[發明專利]陣列基板及其制造方法、液晶顯示器

有效

• 申請號: 201010189885.6
• 申請日: 2010-05-24
• 公開（公告）號: CN102263060A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 劉翔;劉圣烈;薛建設
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/768;H01L27/02;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種陣列基板制造方法，包括在襯底基板上形成電極線圖案和像素電極圖案，其特征在于，形成所述電極線圖案的步驟包括：

沉積一導電層，并通過構圖工藝形成電鍍電極；

通過電鍍工藝在所述電鍍電極上電鍍形成由金屬銅薄膜構成的所述電極線圖案。

2.根據權利要求1所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述沉積一導電層，并通過構圖工藝形成電鍍電極，包括：

沉積一導電層；

在所述導電層的上方涂覆光刻膠，對所述光刻膠進行曝光顯影后形成對應于所述電極線圖案的凹槽；

所述通過電鍍工藝在所述電鍍電極上電鍍形成由金屬銅薄膜構成的所述電極線圖案，包括：通過電鍍工藝在所述凹槽內電鍍形成由金屬銅薄膜構成的所述電極線圖案。

3.根據權利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述電極線圖案為柵線和/或柵電極。

4.根據權利要求3所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述導電層為透明導電層。

5.根據權利要求4所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述對所述光刻膠進行曝光顯影后形成對應于所述電極線圖案的凹槽，包括：

采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后形成不曝光區域、部分曝光區域和完全曝光區域；

所述不曝光區域對應于透明像素電極區域，所述完全曝光區域對應于凹槽區域，所述凹槽區域對應于柵線和/或柵電極區域，所述部分曝光區域對應于除去所述透明像素電極、柵線/或柵電極之外的區域；顯影工藝后形成所述凹槽。

6.根據權利要求5所述的陣列基板制造方法，其特征在于，還包括：通過灰化工藝去除部分曝光區域的光刻膠，暴露出該區域的透明導電層；通過刻蝕工藝刻蝕掉部分曝光區域的透明導電層，最終形成透明像素電極。

7.根據權利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述電極線圖案為數據線和/或源漏電極。

8.根據權利要求7所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述導電層為透明導電層。

9.根據權利要求8所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述對所述光刻膠進行曝光顯影后形成對應于所述電極線圖案的凹槽，包括：

采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后形成不曝光區域、部分曝光區域和完全曝光區域；

所述不曝光區域對應于透明像素電極區域，所述完全曝光區域對應于凹槽區域，所述凹槽區域對應于數據線和/或源漏電極區域，所述部分曝光區域對應于除去所述透明像素電極、數據線和/或源漏電極之外的區域；顯影工藝后形成所述凹槽。

10.根據權利要求9所述的陣列基板制造方法，其特征在于，還包括：通過灰化工藝去除部分曝光區域的光刻膠，暴露出該區域的透明導電層；通過刻蝕工藝刻蝕掉部分曝光區域的透明導電層，最終形成透明像素電極。

11.根據權利要求1～10任一所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述通過電鍍工藝在所述電鍍電極上電鍍形成由金屬銅薄膜構成的所述電極線圖案，包括：

通過調整電解液的溶液濃度、電流密度和電解時間控制所述金屬銅薄膜的沉積厚度和均勻性。

12.根據權利要求11所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述電解液包括含有銅離子的鹽和酸的混合溶液。

13.根據權利要求1～10任一所述的陣列基板制造方法，其特征在于，還包括：對TFT溝道進行一氧化工藝，在所述TFT溝道的表面形成一層硅的氧化物保護膜。

14.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板，以及形成在所述襯底基板上的電極線圖案和像素電極圖案；所述電極線圖案由金屬銅薄膜構成，且所述電極線圖案的下層設置有一電鍍電極。

15.根據權利要求14所述的陣列基板，其特征在于，所述電極線圖案為柵線和/或柵電極。

16.根據權利要求14所述的陣列基板，其特征在于，所述電極線圖案為數據線和/或源漏電極。

17.根據權利要求14～16任一所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極圖案和所述電鍍電極同層設置。

18.一種液晶顯示器，包括對盒設置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層；其特征在于，所述陣列基板采用權利要求14～17任一所述的陣列基板。