[發(fā)明專利]內(nèi)部電壓發(fā)生器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010188979.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-05-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102096433A | 公開(公告)日: | 2011-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋澤相;權(quán)大漢;李駿宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | G05F1/56 | 分類號(hào): | G05F1/56;G01R19/165 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 楊林森;康建峰 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 內(nèi)部 電壓 發(fā)生器 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2009年12月14日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2009-0123978的優(yōu)先權(quán),該韓國(guó)專利申請(qǐng)通過引用整體合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件,且更具體地,涉及半導(dǎo)體器件的內(nèi)部電壓發(fā)生器。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體器件向高速操作、低功率消耗以及超精細(xì)度發(fā)展,工作電壓也進(jìn)一步降低。大多數(shù)半導(dǎo)體器件包括內(nèi)部電壓發(fā)生器,該內(nèi)部電壓發(fā)生器被配置為使用外部電源電壓來生成內(nèi)部電壓,使得半導(dǎo)體器件為其自身供應(yīng)用于內(nèi)部電路的操作的各種電壓。在設(shè)計(jì)這樣的內(nèi)部電壓發(fā)生器時(shí),主要問題為要將內(nèi)部電壓恒定地維持在所需電平。
圖1為常規(guī)的內(nèi)部電壓發(fā)生器的電路圖。
參照?qǐng)D1,內(nèi)部電壓發(fā)生器100包括被配置為產(chǎn)生與第一參考電壓VREF_UP及第二參考電壓VREF_DN相對(duì)應(yīng)的內(nèi)部電壓VINT的第一內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元110及第二內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元120。第一參考電壓VREF_UP及第二參考電壓VREF_DN具有相等的電壓電平,且對(duì)應(yīng)于內(nèi)部電壓VINT的目標(biāo)電壓電平。
第一內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元110包括第一比較器112及上拉驅(qū)動(dòng)器114。第一比較器112被配置為比較第一參考電壓VREF_UP與內(nèi)部電壓VINT的反饋電壓,且上拉驅(qū)動(dòng)器114被配置為響應(yīng)于從第一比較器112輸出的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)V1而受到驅(qū)動(dòng)。第一比較器112被配置有電流鏡類型的差動(dòng)放大器,且上拉驅(qū)動(dòng)器114被配置有PMOS晶體管,該P(yáng)MOS晶體管耦接于電源電壓(VDD)端子與內(nèi)部電壓(VINT)端子之間并且具有接收從第一比較器112輸出的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)V1的柵極。
第二內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元120包括第二比較器122及下拉驅(qū)動(dòng)器124。第二比較器122被配置為比較第二參考電壓VREF_DN與內(nèi)部電壓VINT的反饋電壓,且下拉驅(qū)動(dòng)器124被配置為響應(yīng)于從第二比較器122輸出的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)V2而受到驅(qū)動(dòng)。第二比較器122被配置有電流鏡類型的差動(dòng)放大器,且下拉驅(qū)動(dòng)器124被配置有NMOS晶體管,該NMOS晶體管耦接于內(nèi)部電壓(VINT)端子與接地電壓(VSS)端子之間且具有接收從第二比較器122輸出的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)V2的柵極。
當(dāng)匯點(diǎn)電流(吸收電流,sink?current)ISINK經(jīng)由負(fù)載電路(未示出)流出時(shí),內(nèi)部電壓發(fā)生器100使得第一內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元110能夠?qū)?nèi)部電壓(VINT)端子上拉(亦即,充電)。另一方面,當(dāng)輸出電流ISOURCE自負(fù)載電路(未示出)流入時(shí),內(nèi)部電壓發(fā)生器100使得第二內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元120能夠?qū)?nèi)部電壓(VINT)端子下拉(亦即,放電)。也就是說,內(nèi)部電壓發(fā)生器100檢測(cè)內(nèi)部電壓(VINT)端子的電壓電平,且將目標(biāo)電壓維持在恒定電平。
然而,具有上文所描述的配置的內(nèi)部電壓發(fā)生器具有以下問題。
如上文所述,第一比較器112及第二比較器122被配置有差動(dòng)放大器。在此差動(dòng)放大器中,制造過程中的工藝變化(process?variation)可能引起偏移誤差。在此情況下,在上拉驅(qū)動(dòng)器114與下拉驅(qū)動(dòng)器124之間可形成直流路徑,如圖1的箭頭P所指示。例如,當(dāng)在內(nèi)部電壓必須維持在0.65V的情況下第一比較器112及第二比較器122中出現(xiàn)偏移誤差時(shí),第一內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元110的輸出電壓VOUT_UP可變?yōu)?.66V,且第二內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元120的輸出電壓VOUT_DN可變?yōu)?.64V。因此,直流路徑P可形成為使得電流從第一內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元110的輸出電壓(VOUT_UP)端子流向第二內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元120的輸出電壓(VOUT_DN)端子。在此情況下,第一內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元110從電源電壓(VDD)端子連續(xù)地輸出充電電流,以便將內(nèi)部電壓發(fā)生器100的輸出電壓VINT調(diào)整為0.66V。另一方面,第二內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元120連續(xù)地將放電電流引至接地電壓(VSS)端子,以便將內(nèi)部電壓發(fā)生器100的輸出電壓VINT調(diào)整為0.64V。因此,內(nèi)部電壓發(fā)生器100引起不必要的功率消耗。
為解決這些問題,將第二內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元120的第二參考電壓VREF_DN設(shè)置為高于第一內(nèi)部電壓驅(qū)動(dòng)單元110的第一參考電壓VREF_UP。一般地,將第二參考電壓VREF_DN設(shè)置為比第一參考電壓VREF_UP高大約40mV。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于海力士半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)海力士半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010188979.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G05F 調(diào)節(jié)電變量或磁變量的系統(tǒng)
G05F1-00 從系統(tǒng)的輸出端檢測(cè)的一個(gè)電量對(duì)一個(gè)或多個(gè)預(yù)定值的偏差量并反饋到系統(tǒng)中的一個(gè)設(shè)備里以便使該檢測(cè)量恢復(fù)到它的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定值的自動(dòng)調(diào)節(jié)系統(tǒng),即有回授作用的系統(tǒng)
G05F1-02 .調(diào)節(jié)電弧的電氣特性
G05F1-10 .調(diào)節(jié)電壓或電流
G05F1-66 .電功率的調(diào)節(jié)
G05F1-70 .調(diào)節(jié)功率因數(shù);調(diào)節(jié)無功電流或無功功率
G05F1-67 ..為了從一個(gè)發(fā)生器,例如太陽(yáng)能電池,取得最大功率的





