[發明專利]內部電壓發生器

有效

• 申請號: 201010188979.1
• 申請日: 2010-05-25
• 公開（公告）號: CN102096433A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 宋澤相;權大漢;李駿宇
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56;G01R19/165
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 楊林森;康建峰

1.一種內部電壓發生器，包括：

檢測單元，被配置為與參考電壓相比較地檢測內部電壓的電平；

第一驅動單元，被配置為響應于所述檢測單元的輸出信號來對內部電壓端子進行放電，經由所述內部電壓端子輸出所述內部電壓；

電流檢測單元，被配置為檢測流經所述第一驅動單元的放電電流；以及

第二驅動單元，被配置為響應于所述電流檢測單元的輸出信號來對所述內部電壓端子進行充電。

2.如權利要求1所述的內部電壓發生器，其中，所述檢測單元包括比較單元，所述比較單元被配置為比較與所述內部電壓的目標電平相對應的所述參考電壓和所述內部電壓的反饋電壓。

3.如權利要求1所述的內部電壓發生器，其中，所述電流檢測單元被配置為對流經所述第一驅動單元的所述放電電流進行鏡像并且控制所述第二驅動單元。

4.如權利要求3所述的內部電壓發生器，其中，所述電流檢測單元被配置為根據流經所述第一驅動單元的所述放電電流來調整所述電流檢測單元的所述輸出信號的電壓電平。

5.如權利要求2所述的內部電壓發生器，其中，所述第一驅動單元包括：

第一NMOS晶體管，耦接于接地電壓端子與所述內部電壓端子之間，并且具有接收所述比較單元的輸出信號的柵極。

6.如權利要求5所述的內部電壓發生器，其中，所述電流檢測單元包括：

第二NMOS晶體管，耦接于所述接地電壓端子與檢測節點之間，且具有接收所述比較單元的輸出信號的柵極；以及

第一電流源，被配置為將第一電流輸出至所述檢測節點。

7.如權利要求6所述的內部電壓發生器，其中，所述第二NMOS晶體管的閾值電壓低于所述第一NMOS晶體管的閾值電壓。

8.如權利要求5所述的內部電壓發生器，其中，所述電流檢測單元包括：

第二NMOS晶體管，耦接于所述接地電壓端子與第一檢測節點之間，且具有接收所述比較單元的輸出信號的柵極；

第一電流源，被配置為將第一電流輸出至所述第一檢測節點；

第三NMOS晶體管，耦接于所述接地電壓端子與第二檢測節點之間，且具有耦接至所述第一檢測節點的柵極；以及

第二電流源，被配置為將第二電流輸出至所述第二檢測節點。

9.如權利要求8所述的內部電壓發生器，其中，所述第二NMOS晶體管的閾值電壓低于所述第一NMOS晶體管的閾值電壓。

10.如權利要求1所述的內部電壓發生器，其中，所述第二驅動單元被配置為響應于由所述電流檢測單元檢測到流經所述第一驅動單元的零放電電流來對所述內部電壓端子進行充電。

11.一種內部電壓發生器，包括：

比較單元，被配置為比較與內部電壓的目標電平相對應的參考電壓和所述內部電壓的反饋電壓；

第一NMOS晶體管，耦接于接地電壓端子與內部電壓端子之間，具有接收所述比較單元的輸出信號的柵極，且被配置為對所述內部電壓端子進行放電；

第二NMOS晶體管，耦接于所述接地電壓端子與檢測節點之間，且具有接收所述比較單元的所述輸出信號的柵極；

第一電流源，被配置為將第一電流輸出至所述檢測節點；以及

第三NMOS晶體管，耦接于所述內部電壓端子與電源電壓端子之間，具有耦接至所述檢測節點的柵極，且被配置為對所述內部電壓端子進行充電。

12.如權利要求11所述的內部電壓發生器，其中，所述第二NMOS晶體管的閾值電壓低于所述第一NMOS晶體管的閾值電壓。