[發明專利]化學汽相沉積設備

有效

• 申請號: 201010188476.4
• 申請日: 2010-06-01
• 公開（公告）號: CN101906619A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 樸商基;河政旼;黃成龍
• 申請（專利權）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

相關申請的交叉引用

本申請要求2009年6月4日遞交的韓國專利申請P2009-0049423的權益，在此援引該申請的全部內容作為參考。

技術領域

本發明涉及一種化學汽相沉積設備，更具體地，涉及一種能夠通過延長清潔循環而改進產量的化學汽相沉積設備。

背景技術

通常使用諸如濺射等的利用物理反應的物理汽相沉積(PVD)方法、或使用利用化學反應的化學汽相沉積(CVD)方法在太陽能電池、半導體器件或平板顯示面板的基板(例如，晶片、塑料基板或玻璃)上沉積具有預定厚度的薄膜。

如用CVD方法，首先給處理腔室提供氣態組分材料，接下來通過化學反應在基板(或晶片)上沉積所需的薄膜。與PVD方法相比，由于CVD方法的優勢在于獲得例如基板上薄膜的優良的臺階覆蓋這樣的優良沉積特性以及優良的均勻性和產量，因此CVD方法廣泛地應用于許多領域。CVD方法可以主要分類為低壓化學汽相沉積(LPCVD)、常壓化學汽相沉積(APCVD)、低溫化學汽相沉積(LTCVD)、等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)和金屬有機化學汽相沉積(MOCVD)。

圖1表示根據現有技術的化學汽相沉積設備。

如圖1所示，根據現有技術的化學汽相沉積設備包括：具有支撐基板12的基板支撐件14的腔室10；安裝在腔室10上方的腔室蓋20；和向基板12噴射處理源的源噴射組件30，其中源噴射組件30安裝在腔室10的內部并貫穿腔室蓋20。

腔室10提供預定的反應空間。腔室10的一側有排出處理源的排氣孔(未示出)。

基板支撐件14安裝在腔室10內的底部，基板支撐件14支撐從外部提供的基板12。

腔室蓋20安裝在腔室10的上方，腔室蓋20密封腔室10的反應空間。這里，可在腔室10與腔室蓋20之間安裝密封件15。

源噴射組件30包括源供應管32、多個源噴射管34和多個源噴射孔36。

源供應管32貫穿腔室蓋20，源供應管32分支為多個支管以與多個源噴射管34連通。

多個源噴射管34以固定的間隔設置在腔室10內，多個源噴射管34與源供應管32的分支的支管連通，由此從源供應管32提供處理源到多個源噴射管34。

多個源噴射孔36以固定的間隔設置在各個源噴射管34中，由此通過多個源噴射孔36將供應到源噴射管34的處理源(S)噴射到基板12上。

在根據現有技術的化學汽相沉積設備中，腔室10的內部保持恒定的溫度，由源噴射組件30噴射處理源到反應空間，由此在基板12上沉積薄膜材料。

若應用上述薄膜沉積處理，則薄膜材料沉積到基板12上且沉積到不期望的部分上。例如，薄膜材料可能沉積到腔室10的內壁上、基板支撐件14的除了支撐基板12的部分之外的上表面和/或側表面的預定部分上以及源噴射組件30的下表面上。特別是，如果薄膜材料沉積到源噴射孔36的周圍，則可能改變源噴射孔36的大小，以致很難在基板12上形成均勻的薄膜。

為了在基板12上形成均勻的薄膜，必須周期性地清潔源噴射孔36的周圍，以此從源噴射孔36的周圍除去薄膜材料。

然而，只要在需要進行上述清潔處理時，就必須關閉根據現有技術的化學汽相沉積設備。接下來，在拆卸化學汽相沉積設備后，將源噴射組件30與腔室蓋20分離，隨后進行清潔處理，以從源噴射孔36的周圍除去薄膜材料。這些復雜的清潔步驟不可避免地造成設備的可操作時間的減少，從而降低了設備的可操作性。另外，完成源噴射組件30的清潔步驟后，需要額外的步驟以從腔室10的內部除去濕氣和異物，并將腔室10的內部調整至穩定的壓力和溫度。還有，需要在模型基板上進行測試沉積處理，以檢查基板上沉積的薄膜中的均勻性和顆粒污染程度，由于測試沉積步驟耗費許多小時，因而導致了產量的下降。

最后，考慮到產量問題，最好盡可能長地延長源噴射組件30的清潔循環。

發明內容

因此，本發明涉及一種基本上避免了由現有技術的缺陷與不足造成的一或多個問題的化學汽相沉積設備。

本發明的一個優點是提供一種能夠通過延長清潔循環而改進產量的化學汽相沉積設備。

本發明的其它特點和方面將在隨后的說明書中列出，對本領域的普通技術人員來說，通過對下文的檢驗，這些特點和方面的一部分是顯而易見的或者可以從本發明的實施領會。通過說明書文字部分、權利要求書以及所附附圖中特別指出的結構，可以領會與獲得本發明的目的和其它優點。