[發(fā)明專利]一種特種電路板的制造方法和設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010188444.4 | 申請日: | 2010-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN102104007A | 公開(公告)日: | 2011-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘇新虹 | 申請(專利權(quán))人: | 北大方正集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 特種 電路板 制造 方法 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基層線路板制造領(lǐng)域,尤其涉及一種特種電路板的制造方法和設(shè)備。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的IC封裝,是使用導(dǎo)線框架作為IC導(dǎo)通線路與支撐IC的載具,它連接引腳于導(dǎo)線框架的兩旁或四周。隨著IC封裝技術(shù)的發(fā)展,引腳數(shù)增多(超過300個(gè)引腳),傳統(tǒng)的QFP等封裝形式已對其發(fā)展有所限制。這樣,在20世紀(jì)90年代中期一種以BGA、CSP為代表的新型IC封裝形式問世,隨之也產(chǎn)生了一種半導(dǎo)體芯片封裝的必要新載體,這就是IC封裝基板,又稱為IC封裝載板(substrate)。IC封裝基板應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片封裝,實(shí)現(xiàn)互連和安裝裸芯片或封裝芯片的支撐作用,同時(shí)作為導(dǎo)體圖形和無源元件的絕緣介質(zhì),并作為將熱從芯片上傳導(dǎo)出去的導(dǎo)熱媒體,具有控制高速電路中的特性阻抗、串?dāng)_以及信號延遲的作用。
傳統(tǒng)的IC封裝基板的制造過程大致如下:
開料(取材為帶雙面銅箔的基材,稱為中心層)---在中心層上鉆通孔---將通孔進(jìn)行PTH處理---在通孔的孔形內(nèi)電鍍銅---在中心層的雙面制作線路層---對通孔進(jìn)行棕化處理---對通孔進(jìn)行樹脂塞孔處理(或先塞孔再棕化或只棕化不塞孔)---取另一單面帶銅箔的基材與中心層的一面進(jìn)行層壓---在帶銅箔的一面進(jìn)行激光鉆孔---將通孔進(jìn)行PTH處理---在通孔的孔形內(nèi)電鍍銅---對通孔進(jìn)行塞孔處理(或直接電鍍?nèi)?---對基材進(jìn)行磨板處理---在磨板的一面制作線路層---對通孔進(jìn)行棕化處理---再取一單面帶銅箔的基材與中心層的另一面進(jìn)行層壓---在帶銅箔的一面進(jìn)行激光鉆孔---PTH處理---電鍍銅---塞孔處理---磨板處理---制作線路層---棕化處理-----以此類推,每次均增加兩層,加上中心層也是雙面,該類流程只能制造偶數(shù)層板。
在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下技術(shù)問題:
現(xiàn)有的IC封裝基板的制造過程中,先制作導(dǎo)通的中心層,通過在覆有銅箔的中心層進(jìn)行雙面增層,只能制造具有偶數(shù)層的線路層的IC封裝基板。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種奇數(shù)層特種電路板的制造方法及設(shè)備,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中無法制造具有奇數(shù)層線路層的特種電路板的問題。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種奇數(shù)層特種電路板的制造方法,該方法包括:
在第一承載層的一個(gè)導(dǎo)電面上制作起始層,在該起始層可見的導(dǎo)電面上制作第一導(dǎo)電層;
將第二承載層與第一導(dǎo)電層進(jìn)行疊層處理;
將第一承載層剝離,在剝離后所述起始層的另一個(gè)導(dǎo)電面上制作第一線路層,并在第一線路層上制作第二導(dǎo)電層;
將第一線路層、第二導(dǎo)電層進(jìn)行層壓半固化片處理;
將第二承載層剝離,在剝離后第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層所在的導(dǎo)電面上分別制作線路層作為第二線路層和第三線路層;第一承載層和第二承載層為表層具備導(dǎo)電性能的芯板。
本發(fā)明實(shí)施例一種奇數(shù)層特種電路板的制造裝置,該裝置包括:
起始層制作模塊,用于在第一承載層的一個(gè)導(dǎo)電面上制作起始層;
第一導(dǎo)電層制作模塊,用于在所述起始層可見的導(dǎo)電面上制作第一導(dǎo)電層;
第一疊層處理模塊,用于將第二承載層與第一導(dǎo)電層進(jìn)行疊層處理;
第一承載層蝕刻模塊,用于將第一承載層剝離;
第一線路層制作模塊,用于在剝離后所述起始層的另一個(gè)導(dǎo)電面上制作第一線路層;
第二導(dǎo)電層制作模塊,用于在第一線路層上制作第二導(dǎo)電層;
第二疊層處理模塊,用于將第一線路層、第二導(dǎo)電層進(jìn)行層壓半固化片處理;
第二承載層蝕刻模塊,用于將第二承載層剝離;
第二線路層制作模塊,用于在剝離后第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層所在的導(dǎo)電面上分別制作線路層作為第二線路層和第三線路層;第一承載層和第二承載層為表層具備導(dǎo)電性能的芯板。
本發(fā)明實(shí)施例還提供一種偶數(shù)層特種電路板的制造方法及設(shè)備,用于實(shí)現(xiàn)制造避免出現(xiàn)發(fā)生彎曲、漲縮等現(xiàn)象的偶數(shù)層特種電路板。
所述偶數(shù)層特種電路板的制造方法,包括:
在第一承載層的一個(gè)導(dǎo)電面上制作第一線路層,在第一線路層上制作第一導(dǎo)電層;
將第一線路層、第一導(dǎo)電層進(jìn)行層壓半固化片處理;
在層壓半固化片處理后的可見導(dǎo)電面上制作保護(hù)層;
將第一承載層剝離;
在所述保護(hù)層上制作第二線路層。
所述偶數(shù)層特種電路板的制造裝置,包括:
第一線路層制作模塊,用于在第一承載層的一個(gè)導(dǎo)電面上制作第一線路層;
第一導(dǎo)電層制作模塊,用于在第一線路層上制作第一導(dǎo)電層;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





