[發明專利]曝光機的曝光程序的驗證方法及其使用的掩模無效
| 申請號: | 201010188402.0 | 申請日: | 2010-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN102262350A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | 巫世榮;劉宗鑫 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/14 | 分類號: | G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光 程序 驗證 方法 及其 使用 | ||
1.一種掩模,其特征在于,包括:
一襯底,具有一多級層集成電路IC圖樣與一驗證圖樣,該多級層IC圖樣至少包括一第一級層IC圖樣與一第二級層IC圖樣,該驗證圖樣包括:
至少一第一母圖樣與一第一子圖樣,分別設置在該第一級層IC圖樣的一第一邊緣與一第二邊緣的外側,該第一邊緣與該第二邊緣相對,該第一母圖樣與該第一子圖樣不同。
2.根據權利要求1所述的掩模,其特征在于,該第一母圖樣的外緣所涵蓋的面積與該第一子圖樣的外緣所涵蓋的面積不同。
3.根據權利要求1所述的掩模,其特征在于,該第一母圖樣的外緣所涵蓋的面積大于該第一子圖樣的外緣所涵蓋的面積。
4.根據權利要求1所述的掩模,其特征在于,該第一母圖樣的形狀與該第一子圖樣的形狀不同。
5.根據權利要求4所述的掩模,其特征在于,該第一母圖樣與該第一子圖樣的形狀包括矩形、三角形或圓形。
6.根據權利要求4所述的掩模,其特征在于,該第一母圖樣與該第一子圖樣包括中空或實心的形狀。
7.根據權利要求1所述的掩模,其特征在于,該第一母圖樣與該第一子圖樣的位置對應至一芯片的切割道的位置。
8.根據權利要求1所述的掩模,其特征在于,該掩模是用以驗證曝光機的曝光程序。
9.根據權利要求1所述的掩模,其特征在于,該驗證圖樣更包括至少一第二母圖樣與一第二子圖樣,分別設置在該第一級層IC圖樣的一第三邊緣與一第四邊緣的外側,該第三邊緣與該第四邊緣相對并鄰接該第一邊緣與該第二邊緣,該第二母圖樣與該第二子圖樣不同。
10.一種曝光機的曝光程序的驗證方法,其特征在于,包括:
提供一芯片,該芯片上涂布有一光刻膠層;
提供一掩模,該掩模包括一襯底,該襯底具有一多級層IC圖樣與一驗證圖樣,該多級層IC圖樣至少包括一第一級層IC圖樣與一第二級層晶IC圖樣,該驗證圖樣包括至少一第一母圖樣與一第一子圖樣,分別設置在該第一級層IC圖樣的一第一邊緣與一第二邊緣的外側,該第一邊緣與該第二邊緣相對,該第一母圖樣與該第一子圖樣不同,該第一級層IC圖樣、該第一母圖樣及該第一子圖樣對應至一曝光單位區;以及
使用該掩模進行該曝光程序,包括將該曝光單位區轉移至該芯片的一第一位置上,并然后將該曝光單位區轉移至該芯片的鄰近該第一位置的一第二位置上;
其中,該第一位置上的該第一子圖樣與該第二位置上的該第一母圖樣的相對位置與該曝光程序的正確與否相關。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





