[發明專利]改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法

有效

• 申請號: 201010186553.2
• 申請日: 2010-05-27
• 公開（公告）號: CN102263018A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 陳福成
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于，包括步驟：

步驟一、設計一組填充圖形；

步驟二、在所述芯片的柵層生長之后，在所述柵層上的需要調節圖形密度和后續柵極側墻生長的負載效應的區域上，在所述一組填充圖形中選擇一個所述填充圖形來進行柵布局，從而使所述芯片的圖形密度達到目標圖形密度和所述芯片的柵極側墻生長的負載效應達到目標負載效應。

2.如權利要求1所述的改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于：所述柵層的組成材料能選擇多晶硅、非晶硅、硅化物、金屬。

3.如權利要求1所述的改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于：所述柵層是多晶硅柵層，所述柵布局是多晶硅柵布局。

4.如權利要求1所述的改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于：所述一組填充圖形包括了具有不同圖形密度和不同的負載效應的多個填充圖形；也包括了圖形密度相同但是負載效應不同的多個填充圖形。

5.如權利要求1所述的改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于：所述柵層上的需要調節圖形密度和后續柵極側墻生長的負載效應的區域為不被柵區和擴散區所占據的區域。

6.如權利要求5所述的改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于：確定所述不被柵區和擴散區所占據的區域的方法包含：產生由柵區和擴散區組成的聯合區域；將所述聯合區域反轉形成聯合反轉區域，以所述聯合反轉區域作為所述不被柵區和擴散區占據的區域。

7.如權利要求6所述的改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于：將所述聯合反轉區域縮小一預定的量，使所述縮小的聯合反轉區域的邊界和所述聯合區域的邊界間形成一大小為所述預定的量的間隔，所述預定的量的范圍為0.1微米～50微米之間的值，以所述縮小的聯合反轉區域作為柵層上的需要調節圖形密度和后續柵極側墻生長的負載效應的區域。

8.如權利要求1所述的改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于：所述目標圖形密度為所述芯片中所有柵極的正面積與芯片面積的比值，且所述目標圖形密度范圍為20％～40％。

9.如權利要求1所述的改善芯片柵極側墻生長的負載效應的方法，其特征在于：所述目標負載效應為所述芯片面積與柵極的側面積之和與芯片面積的比值，且所述目標負載效應范圍為120％～250％。