[發(fā)明專利]一種非晶C型磁芯的拼接方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010186362.6
• 申請日: 2010-05-31
• 公開（公告）號: CN101866743A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張志臻
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市中研非晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;B22F3/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 詹仲國

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及非晶態(tài)材料的磁芯制作工藝，具體是涉及60mm以上寬度的非晶帶C型磁芯的拼接方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)的非晶C型磁芯的拼接，一般是用寬帶直接卷取，由于60mm以上寬度的非晶帶較難剪切，且?guī)捿^寬的磁芯成型后退火溫度一致均勻較難控制，脫模困難，浸漆亦較難浸透。導(dǎo)致磁芯損耗高，噪聲高等危害。如中國專利申請?zhí)枮?9106983、申請日為1989年9月3日、發(fā)明名稱為切割非晶態(tài)電感磁芯制法、授權(quán)公告日為1993年3月31日的發(fā)明專利申請，該軟磁非晶態(tài)材料的磁芯制法，是使用真空冶煉的母材，用單輥法制成規(guī)定寬度的非晶帶材，繞成環(huán)形或矩形磁芯，然后在氮氣或氬氣的保護下進(jìn)行退火處理，之后采用環(huán)氧樹脂包絡(luò)磁芯，經(jīng)固化處理成型，最后進(jìn)行氣隙切割。上述方法同樣是用寬帶直接卷取，對于較寬的如60mm以上寬度的非晶帶同樣也存在較難剪切的情況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)之不足，而提供的一種能有效針對60mm以上超寬度的非晶帶C型磁芯進(jìn)行拼接的方法，該方法拼接的磁芯性能更為優(yōu)異。

本發(fā)明是采用如下技術(shù)解決方案來實現(xiàn)上述目的的：該拼接方法包括如下步驟：

（1）、卷制窄帶磁芯：按照所需寬度的非晶C型磁芯，選取兩個或以上寬度相加等于所需寬度的非晶C型磁芯；

（2）采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行成型退火，且每個磁芯單個退火；

（3）將兩個或以上窄帶磁芯浸漆固化定型；

（4）兩個或以上窄帶磁芯粘結(jié)疊合，粘合時兩個或以上磁芯對整齊；

（5）整體切割；

（6）烘干整理、成品檢測、包裝。

本發(fā)明實施上述方案所能達(dá)到的有益效果是：

1.????將卷繞時寬帶分成兩個或以上寬度接近的窄帶單獨繞制，卷繞更為方便；且單個退火、浸漆烘干。由于單個磁芯輕小，退火溫度更易達(dá)到均勻，磁芯性能更優(yōu)，且?guī)捳岣诐B透浸漆更充分，噪音更低。

2.????將浸漆烘烤好的兩個或以上磁芯對整齊，兩個或以上磁芯層間用粘接力強，應(yīng)力低的環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑粘合成整體。

3.????將粘合疊拼而成的磁芯整體一次切割成U型。

本發(fā)明拼接工藝方法簡單，操作方便，有效地解決了超寬非晶帶C型磁芯難以進(jìn)行拼接的問題。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的工藝流程示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，如需拼接65mm寬度的非晶帶C型磁芯，首先將卷繞時寬帶分成兩個寬度接近的窄帶單獨繞制，如：65mm=35mm+30mm，分別卷一個35mm高與一個30mm高的C型磁芯，且并單個退火、浸漆烘干。由于單個磁芯輕小，退火溫度更易達(dá)到均勻，磁芯性能更優(yōu)，且?guī)捳岣诐B透浸漆更充分，噪音更低。

然后，將浸漆烘烤好的兩個磁芯對整齊，兩個磁芯層間用粘接力強，應(yīng)力低的環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑粘合成整體。

最后，將粘合疊拼而成的磁芯整體一次切割成U型，并進(jìn)行烘干整理、成品檢測、包裝即可。

上述方案僅為較佳實施例，本發(fā)明技術(shù)并不局限于上述實施例，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員均可做多種修改和變化，在不脫離本發(fā)明的精神下，都在本發(fā)明所要求保護范圍。