[發(fā)明專利]一種非晶C型磁芯的拼接方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010186362.6 | 申請日: | 2010-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN101866743A | 公開(公告)日: | 2010-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志臻 | 申請(專利權(quán))人: | 佛山市中研非晶科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F41/02 | 分類號: | H01F41/02;B22F3/00 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 詹仲國 |
| 地址: | 528241 廣東省佛山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 型磁芯 拼接 方法 | ||
1.一種非晶C型磁芯的拼接方法,該拼接方法包括卷制、成型退火、浸漆固化定型工藝步驟,其特征在于,該拼接方法具體包括如下步驟:
(1)、卷制窄帶磁芯:按照所需寬度的非晶C型磁芯,選取兩個(gè)或以上寬度相加等于所需寬度的非晶C型磁芯;
(2)成型退火,且每個(gè)磁芯單個(gè)退火;
(3)將兩個(gè)或以上窄帶磁芯浸漆固化定型;
(4)兩個(gè)或以上窄帶磁芯粘結(jié)疊合,粘合時(shí)兩個(gè)或以上磁芯對整齊;
(5)整體切割;
(6)烘干整理、成品檢測、包裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶C型磁芯的拼接方法,其特征在于:所述步驟(1)中的兩個(gè)或以上寬度的非晶C型磁芯的寬度尺寸接近。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于佛山市中研非晶科技股份有限公司,未經(jīng)佛山市中研非晶科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010186362.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:混合電纜
- 下一篇:一種嵌段型聚電解質(zhì)的制備方法





