[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光器件以及具有該發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010184880.4
• 申請(qǐng)日: 2010-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101901859A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜大成;鄭明訓(xùn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/12;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

技術(shù)領(lǐng)域

本文描述的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方案涉及發(fā)光器件以及具有該發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LD)可以用作移動(dòng)電話(huà)鍵盤(pán)板、電子公告牌和其他類(lèi)型電子和/或照明裝置的光源。但是，這些裝置仍需改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本文描述的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方案涉及如下所述發(fā)光器件以及具有該發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝

1.一種發(fā)光器件，包括：

襯底；

在所述襯底的表面上散布的多個(gè)簇；

在所述多個(gè)簇上設(shè)置的第一半導(dǎo)體層，其中所述第一半導(dǎo)體層包括在所述多個(gè)簇上設(shè)置的氣隙；以及

發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：鄰接所述第一半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層和在所述有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述簇包括MgN簇或Mg簇。

3.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙與所述簇對(duì)準(zhǔn)。

4.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述襯底包括：在所述簇層下的摻雜半導(dǎo)體層或未摻雜半導(dǎo)體層、II-VI族元素中至少一種的緩沖層中的至少一種。

5.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層包括：未摻雜半導(dǎo)體層、非導(dǎo)電半導(dǎo)體層或?qū)щ姲雽?dǎo)體層中的至少一種。

6.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，還包括：在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的第二半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)6所述的發(fā)光器件，其中所述第二半導(dǎo)體層包括超晶格結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層中的所述氣隙中的至少一個(gè)為錐形。

9.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述襯底是導(dǎo)電型襯底。

10.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，還包括：與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層連接的第一電極、以及與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層連接的第二電極。

11.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙是對(duì)齊的。

12.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層與所述襯底之間的接觸面積大于所述第一半導(dǎo)體層和所述簇層之間的接觸面積。

13.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，其中所述襯底由硅制成。

14.根據(jù)1所述的發(fā)光器件，還包括：在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的透射性電極層或反射性電極層中的至少一種。

15.一種發(fā)光器件封裝，具有根據(jù)1所述的發(fā)光器件，并具有封裝體和在所述封裝體上的多個(gè)引線電極。

16.根據(jù)15所述的發(fā)光器件封裝，還包括：覆蓋所述發(fā)光器件的模制元件。

附圖說(shuō)明

將結(jié)合以下附圖詳細(xì)描述實(shí)施方案，其中相同的附圖標(biāo)記表示相同的要素：

圖1是示出發(fā)光器件第一實(shí)施方案的視圖；

圖2～5是對(duì)應(yīng)可用于圖1的發(fā)光器件的制造工藝的視圖；

圖6是示出發(fā)光器件第二實(shí)施方案的視圖；

圖7是示出應(yīng)用圖1的發(fā)光器件的橫向型發(fā)光器件的剖面視圖的圖；

圖8是示出應(yīng)用圖1的發(fā)光器件的垂直型發(fā)光器件的剖面視圖的圖；

圖9是示出應(yīng)用圖7的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的圖；

圖10是示出應(yīng)用圖9的發(fā)光器件封裝的光單元的視圖；和

圖11是示出應(yīng)用圖9的發(fā)光器件封裝的背光單元的視圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出發(fā)光器件100的第一實(shí)施方案，發(fā)光器件100包括：襯底110、簇(cluster)層115、具有孔的第一多孔半導(dǎo)體層125、第二半導(dǎo)體層130、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層140、有源層150和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層160。

襯底110包括導(dǎo)電襯底或絕緣襯底。例如，襯底110可包括Al₂O₃、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ga₂O₃和Ge中的至少一種。可在襯底110上形成凹凸結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施方案不限于此。

在襯底110上形成簇層115。簇層115可在襯底110上以任意形狀和任意尺寸形成。所述任意形狀可包括基本球形、橢圓形、多邊形或其他幾何形狀。在其他實(shí)施方案中，形狀可以是不規(guī)則形狀。

簇層115可選擇為包括一種或更多種II族元素。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，簇層115可包括MgN籽層或Mg簇層。簇層115的簇尺寸可以從幾埃到幾千埃(例如，1～9000)。另外，根據(jù)前述一種或更多種形狀，簇層115可形成為具有一個(gè)或幾個(gè)規(guī)則間隔或/和預(yù)定形狀，或者簇層可形成為具有不規(guī)則間隔。