[發(fā)明專利]發(fā)光器件以及具有該發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010184880.4
• 申請(qǐng)日: 2010-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN101901859A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜大成;鄭明訓(xùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

1.一種發(fā)光器件，包括：

襯底；

在所述襯底的表面上散布的多個(gè)簇；

在所述多個(gè)簇上設(shè)置的第一半導(dǎo)體層，其中所述第一半導(dǎo)體層包括在所述多個(gè)簇上設(shè)置的氣隙；以及

發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：鄰接所述第一半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層和在所述有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述簇包括MgN簇或Mg簇。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙與所述簇對(duì)準(zhǔn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述襯底包括：在所述簇層下的摻雜半導(dǎo)體層或未摻雜半導(dǎo)體層、II-VI族元素中至少一種的緩沖層中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層包括：未摻雜半導(dǎo)體層、非導(dǎo)電半導(dǎo)體層或?qū)щ姲雽?dǎo)體層中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括：在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的第二半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第二半導(dǎo)體層包括超晶格結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層中的所述氣隙中的至少一個(gè)為錐形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述襯底是導(dǎo)電型襯底。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括：與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層連接的第一電極、以及與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層連接的第二電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙是對(duì)齊的。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層與所述襯底之間的接觸面積大于所述第一半導(dǎo)體層和所述簇層之間的接觸面積。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述襯底由硅制成。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括：在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的透射性電極層或反射性電極層中的至少一種。

15.一種發(fā)光器件封裝，具有根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，并具有封裝體和在所述封裝體上的多個(gè)引線電極。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件封裝，還包括：覆蓋所述發(fā)光器件的模制元件。