[發(fā)明專利]一種β-AgVO3納米線硫化氫氣敏材料及其用于制作氣敏傳感器的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010184423.5 | 申請日： | 2010-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN101830509A | 公開（公告）日： | 2010-09-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 麥立強;韓春華;高倩;徐林 | 申請（專利權）人： | 武漢理工大學 |
| 主分類號： | C01G31/00 | 分類號： | C01G31/00;G01N27/00 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 張安國 |
| 地址： | 430070 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 agvo sub 納米 硫化 氫氣 材料 及其 用于 制作 傳感器 方法 | ||
1.一種硫化氫氣敏材料，其特征在于它為β-AgVO3，具有納米線的一維結構，直徑為100～700nm、長達15～40微米。
2.權利要求1所述的硫化氫氣敏材料的制備方法，其特征在于，包括有以下步驟：
1)將V2O5粉末在800℃加熱30分鐘，使其融化后倒入冷水中攪拌均勻，加熱至沸并不停攪拌，冷卻后抽濾三次，將濾液靜置一天得到V2O5溶膠，標定其濃度，濃度范圍為0.0215～0.0429mol/L，備用；
2)將步驟1)得到的V2O5溶膠與Ag2O粉末按物質(zhì)的量之比為1∶1混合，室溫下攪拌0.5～1小時，然后置于超聲波清洗器中以50?W的功率超聲處理0.5～1小時，得到流變相物質(zhì)；
3)將步驟2)得到的流變相物質(zhì)移入聚四氟乙烯襯底的不銹鋼反應釜中，在180℃溫度下恒溫24小時，然后自然冷卻，得到水熱產(chǎn)物；
4)將步驟3)得到的水熱產(chǎn)物過濾，用去離子水洗滌3次以上；
5)將步驟4)過濾洗滌的產(chǎn)物在80℃干燥12～24小時得到硫化氫氣敏材料β-AgVO3納米線。
3.用權利要求1所述的硫化氫氣敏材料制作硫化氫氣敏傳感器的方法，其特征在于，基于單根β-AgVO3納米線的硫化氫氣敏傳感器的制作包括如下步驟：
1)用電子束刻蝕和真空蒸鍍將金電極沉積到表面有一層30～100nm厚的SiO2的Si基片上；
2)將β-AgVO3納米線置于乙醇中超聲分散后滴在表面有一層30～100nm厚的SiO2的Si基片上，選取分散較好的單根β-AgVO3納米線定位在金電極上；
3)采用聚焦離子束技術在兩端電極接觸點沉積一層300～600nm厚的金屬Pt，即制得單根β-AgVO3納米線的硫化氫氣敏傳感器件。
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