[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201010183042.5
• 申請日: 2010-05-18
• 公開（公告）號: CN102254862A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 張文雄
• 申請（專利權）人: 宏寶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/68;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

技術領域

本發明涉及半導體裝置，且特別是涉及一種半導體裝置的制造方法。

背景技術

現有的半導體加工設備中最基本的加工單位為整片晶片，而整片晶片在加工后，不可避免地因加工工藝的缺陷而有部分區域發生電性或結構不良的情況。當這些不良區占晶片總面積面積的比例過高時，若后續再以整片晶片進行加工處理，無異于浪費了加工設備的產能，進而增加工藝成本，并降低了工藝效率。

發明內容

本發明的目的就是在提供一種半導體裝置的制造方法，可降低工藝成本及提高工藝效率。

為達成上述目的，本發明提出一種半導體裝置的制造方法。首先，提供承載基底及多個晶片切片。各晶片切片具有有源表面與背面，其中有源表面與背面相對，且各晶片切片包括至少一個連接墊，位于有源表面上。接著，在承載基底與晶片切片的有源表面間形成粘著層，以將晶片切片粘著至承載基底上。再于各晶片切片中形成至少一個硅導通孔而與對應的連接墊電性連接。之后，令這些晶片切片與承載基底分離。

在本發明的優選實施例中，上述的粘著層呈圖案化分布于承載基底與晶片切片之間。

在本發明的優選實施例中，在令上述這些晶片切片與承載基底分離之后，還包括對各晶片切片進行切割，以獲得多個芯片(chip)。

在本發明的優選實施例中，移除上述粘著層的方法包括紫外光照射、熱熔、機械剝離或溶劑溶解。

在本發明的優選實施例中，形成硅導通孔的方法是先在各晶片切片中形成至少一個貫孔，接著在晶片切片的背面形成介電層，以使介電層填入這些貫孔內。然后，移除位在貫孔內的部分介電層，以暴露出對應的連接墊。之后，在這些貫孔內填入金屬層，以形成與連接墊電性連接的硅導通孔。

在本發明的優選實施例中，提供上述晶片切片的方法可以是先提供具有至少一個可用區與至少一個不良區的晶片，然后沿可用區切割晶片，以獲得上述晶片切片。

在本發明的優選實施例中，上述的承載基底為透明基底。

在本發明的優選實施例中，其中在形成上述這些硅導通孔之前，還包括薄化上述這些晶片切片。

本發明的半導體裝置的制造方法可先挑選出各晶片的可用區并將其切割下來之后，再將這些晶片切片粘著在符合機臺規格的承載基底上，以利于進行后續的硅導通孔工藝。而且，由于這些晶片切片是以具暫時性粘著力的粘著層粘著于承載基底上，因此可在將晶片切片切割成芯片之前先將晶片切片與承載基底分離，以使承載基底具可重復利用性。也就是說，本發明可針對單片晶片中良率高的部分進行后續工藝，以節省成本并提高總工藝良率。

為讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1H繪示為本發明的實施例中半導體裝置在部分工藝中的剖面示意圖。

圖2A至圖2B繪示為本發明的實施例中提供晶片切片的方法的示意圖。

圖3A至圖3B繪示為本發明的實施例中在貫孔中形成金屬層的流程剖面圖。

圖4為本發明的實施例中半導體裝置在部分工藝中的剖面示意圖。

圖5繪示為本發明的實施例中半導體裝置在部分工藝中的剖面示意圖。

附圖標記說明

100：晶片

102：可用區

104：不良區

110：承載基底

120：晶片切片

122：有源表面

124：背面

126：連接墊

127：硅導通孔

127a：貫孔

127b：介電層

127c、129a：金屬層

129b：金屬圖案

128：半導體元件

130：粘著層

200：芯片

具體實施方式

請參閱圖1A至圖1H，其繪示為本發明的實施例的半導體裝置在部分工藝中的剖面示意圖。