[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201010183042.5
• 申請日: 2010-05-18
• 公開（公告）號: CN102254862A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 張文雄
• 申請（專利權）人: 宏寶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/68;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

提供承載基底及多個晶片切片，各該晶片切片具有有源表面與背面，其中該有源表面與該背面相對，且各該晶片切片包括至少一連接墊，位于該有源表面上；

在該承載基底與該多個晶片切片的該有源表面間形成粘著層，以將該多個晶片切片粘著至該承載基底上；

于各該晶片切片中形成至少一硅導通孔而與該多個連接墊電性連接；以及

令該多個晶片切片與該承載基底分離。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該粘著層呈圖案化分布于該承載基底與該多個晶片切片之間。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中令該多個晶片切片與該承載基底分離之后，還包括切割各該晶片切片，以分別獲得多個芯片。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中令該多個晶片切片與該承載基底分離的方法包括以紫外光照射該粘著層、熱熔該粘著層、機械剝離或以溶劑溶解該粘著層。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中形成該多個硅導通孔的方法包括：

于各該晶片切片中形成至少一貫孔；

于該多個晶片切片的背面上形成介電層，其中該介電層填入該多個貫孔內；

移除位于該多個貫孔內的部分該介電層，以暴露出該多個連接墊；以及

于該多個貫孔內填入金屬層，以形成該多個硅導通孔而與該多個連接墊電性連接。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中提供該多個晶片切片的方法包括：

提供晶片，該晶片具有至少一可用區與至少一不良區；以及

沿該可用區切割該晶片，以獲得該多個晶片切片。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，該承載基底為透明基底。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中在形成該多個硅導通孔之前，還包括薄化該多個晶片切片。