[發明專利]用于互連工藝中的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010182903.8
• 申請日: 2010-05-20
• 公開（公告）號: CN102254856A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 孫武;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;謝栒

1.一種制造用于互連工藝中的半導體器件的方法，包括如下步驟：

在前端器件層上形成通孔停止層；

在所述通孔停止層上形成介電層；

在所述介電層上形成鈍化層；

利用等離子體方法，對所述鈍化層和所述介電層進行刻蝕，以在所述介電層中形成溝槽；

其特征在于，在刻蝕形成所述溝槽時采用的氣體為CH₂F₂、CH₃F和CO₂的混合氣體。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述互連工藝為銅互連工藝。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蝕形成所述溝槽時采用的壓力在10-50mTorr之間。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蝕形成所述溝槽時采用的頻率為27MHz，采用的功率為200-500W。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蝕形成所述溝槽時采用的頻率為2MHz，采用的功率為500-1000W。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述CH₂F₂的流量在20-100sccm之間。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述CH₃F的流量在20-50sccm之間。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述CO₂的流量在50-200sccm之間。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕的時間在10秒-50秒之間。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽的底部的中央向上方突起。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述突起的厚度在50埃-200埃之間。

12.一種用于互連工藝中的半導體器件，包含根據權利要求1-11中任一項獲得的半導體互連結構。

13.一種包含如權利要求12所述的半導體器件的集成電路，其中所述集成電路選自隨機存取存儲器、動態隨機存取存儲器、同步隨機存取存儲器、靜態隨機存取存儲器、只讀存儲器、可編程邏輯陣列、專用集成電路和掩埋式DRAM、射頻器件。

14.一種包含如權利要求12所述的半導體器件的電子設備，其中所述電子設備選自個人計算機、便攜式計算機、游戲機、蜂窩式電話、個人數字助理、攝像機和數碼相機。