[發明專利]半導體器件結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010182901.9
• 申請日: 2010-05-20
• 公開（公告）號: CN102254887A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 劉運龍;薛景星
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;徐丁峰

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝，更特別地涉及一種半導體器件結構及其制造方法。

背景技術

隨著半導體技術的發展，半導體器件結構的應用越來越廣泛。一般而言，在襯底上形成最后的圖案金屬導線層后，還會在其上形成鈍化層結構以防止器件的結構遭受諸如刮傷等的機械方式的損害以及諸如水氣或其它污染源的侵入等的化學方式的損害。

但隨著技術的發展和客戶需求的進一步提高，除了需要鈍化層結構起到保護器件的作用外，在某些類型的器件中還需要實現一次性編程(OTP)功能或再分布連線(RDL)功能。

因此，有必要對現有的鈍化層結構進行改進，以使其既可以進行一次性編程又可以實現再分布連線，還可以保護器件結構。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了解決上述問題，本發明提出一種半導體器件結構，包括：

前端器件層結構，在所述前端器件層結構中具有露出其上表面的導線層；

第一鈍化層，所述第一鈍化層具有貫穿所述第一鈍化層的上表面和下表面的通孔，所述第一鈍化層形成在所述前端器件層結構的上表面，且所述通孔位于所述導線層的上方；

鋁墊層，所述鋁墊層位于所述通孔中和所述第一鈍化層的上表面；和

第二鈍化層，所述第二鈍化層位于所述第一鈍化層的上表面和所述鋁墊層的上表面；

其中，所述第一鈍化層包括第一薄膜層，所述第一薄膜層包括在所述前端器件層結構的上表面自下而上依次形成的氮化硅薄膜層、等離子體增強正硅酸乙脂薄膜層和第一紫外氮化硅薄膜層；

所述第二鈍化層包括第二薄膜層，所述第二薄膜層包括位于所述第一鈍化層的上表面和所述鋁墊層的上表面的第二紫外氮化硅薄膜層。

進一步地，所述氮化硅薄膜層的厚度為500～1000埃。

進一步地，所述氮化硅薄膜層的厚度為700埃。

進一步地，所述等離子體增強正硅酸乙脂薄膜層的厚度為3500～5000埃。

進一步地，所述等離子體增強正硅酸乙脂薄膜層的厚度為4000埃。

進一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜層的厚度為2500～4000埃。

進一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜層的厚度為3000埃。

進一步地，所述第二紫外氮化硅薄膜層的厚度為2500～4000埃。

進一步地，所述第二紫外氮化硅薄膜層的厚度為3000埃。

進一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜層和所述第二紫外氮化硅薄膜層的厚度之和為5000～8000埃。

進一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜層和所述第二紫外氮化硅薄膜層的厚度之和為6000埃。

進一步地，所述第一鈍化層還包括形成在所述前端器件層結構與所述氮化硅薄膜層之間的刻蝕停止層。

進一步地，在所述通孔中，位于所述前端器件層結構的上表面還具有氮化鉭層。

本發明該提供一種制造半導體器件結構的方法，包括：

a)提供前端器件層結構，在所述前端器件層結構中具有露出其上表面的導線層；

b)在所述前端器件層結構的上表面形成具有通孔的第一鈍化層，所述通孔貫穿所述第一鈍化層的上表面和下表面，且所述通孔位于所述導線層的上方；

c)在所述通孔中和所述第一鈍化層的上表面形成鋁墊層；

d)在所述第一鈍化層的上表面和所述鋁墊層的上表面形成第二鈍化層；

其中，所述步驟b)為在所述前端器件層結構的上表面自下而上依次形成氮化硅薄膜層、等離子體增強正硅酸乙脂薄膜層和第一紫外氮化硅薄膜層；

所述步驟d)為在所述鋁墊層的上表面和所述第一鈍化層的上表面形成第二紫外氮化硅薄膜層。

進一步地，所述氮化硅薄膜層的厚度為500～1000埃。

進一步地，所述氮化硅薄膜層的厚度為700埃。

進一步地，所述等離子體增強正硅酸乙脂薄膜層的厚度為3500～5000埃。

進一步地，所述等離子體增強正硅酸乙脂薄膜層的厚度為4000埃。

進一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜層的厚度為2500～4000埃。

進一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜層的厚度為3000埃。