[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010182901.9
• 申請(qǐng)日: 2010-05-20
• 公開（公告）號(hào): CN102254887A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉運(yùn)龍;薛景星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;徐丁峰

1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

前端器件層結(jié)構(gòu)，在所述前端器件層結(jié)構(gòu)中具有露出其上表面的導(dǎo)線層；

第一鈍化層，所述第一鈍化層具有貫穿所述第一鈍化層的上表面和下表面的通孔，所述第一鈍化層形成在所述前端器件層結(jié)構(gòu)的上表面，且所述通孔位于所述導(dǎo)線層的上方；

鋁墊層，所述鋁墊層位于所述通孔中和所述第一鈍化層的上表面；和

第二鈍化層，所述第二鈍化層位于所述第一鈍化層的上表面和所述鋁墊層的上表面；

其中，所述第一鈍化層包括第一薄膜層，所述第一薄膜層包括在所述前端器件層結(jié)構(gòu)的上表面自下而上依次形成的氮化硅薄膜層、等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂薄膜層和第一紫外氮化硅薄膜層；

所述第二鈍化層包括第二薄膜層，所述第二薄膜層包括位于所述第一鈍化層的上表面和所述鋁墊層的上表面的第二紫外氮化硅薄膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化硅薄膜層的厚度為500～1000埃。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化硅薄膜層的厚度為700埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂薄膜層的厚度為3500～5000埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂薄膜層的厚度為4000埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜層的厚度為2500～4000埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜層的厚度為3000埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二紫外氮化硅薄膜層的厚度為2500～4000埃。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二紫外氮化硅薄膜層的厚度為3000埃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜層和所述第二紫外氮化硅薄膜層的厚度之和為5000～8000埃。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜層和所述第二紫外氮化硅薄膜層的厚度之和為6000埃。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鈍化層還包括形成在所述前端器件層結(jié)構(gòu)的上表面與所述氮化硅薄膜層之間的刻蝕停止層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述通孔中，位于所述前端器件層結(jié)構(gòu)的上表面還具有氮化鉭層。

14.一種制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：

a)提供前端器件層結(jié)構(gòu)，在所述前端器件層結(jié)構(gòu)中具有露出其上表面的導(dǎo)線層；

b)在所述前端器件層結(jié)構(gòu)的上表面形成具有通孔的第一鈍化層，所述通孔貫穿所述第一鈍化層的上表面和下表面，且所述通孔位于所述導(dǎo)線層的上方；

c)在所述通孔中和所述第一鈍化層的上表面形成鋁墊層；

d)在所述第一鈍化層的上表面和所述鋁墊層的上表面形成第二鈍化層；

其中，所述步驟b)為在所述前端器件層結(jié)構(gòu)的上表面自下而上依次形成氮化硅薄膜層、等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂薄膜層和第一紫外氮化硅薄膜層；

所述步驟d)為在所述第一鈍化層的上表面和所述鋁墊層的上表面形成第二紫外氮化硅薄膜層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜層的厚度為500～1000埃。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜層的厚度為700埃。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂薄膜層的厚度為3500～5000埃。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂薄膜層的厚度為4000埃。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜層的厚度為2500～4000埃。