[發明專利]具有多級電容器的集成電路系統及其制造方法

有效

• 申請號: 201010182886.8
• 申請日: 2010-05-19
• 公開（公告）號: CN101894795A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 鞠韶復;張少強;趙國偉;黃澤慧
• 申請（專利權）人: 新加坡格羅方德半導體制造私人有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/02;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/528
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;靳強

1.一種集成電路系統的制造方法，包括：

提供包括前端工藝電路的基板；

采用第一設計規則在所述基板上方形成包括第一指狀結構和第二指狀結構的第一組金屬層，該第一組金屬層未形成指狀結構導通孔；

采用第二設計規則在所述第一組金屬層上方形成包括第一指狀結構、第二指狀結構和指狀結構導通孔的第二組金屬層，該第二設計規則大于所述第一設計規則；以及

互連所述第一組金屬層和第二組金屬層，從而形成電容器。

2.如權利要求1所述的集成電路系統的制造方法，其中，形成的指狀結構導通孔包括交錯構造。

3.如權利要求1所述的集成電路系統的制造方法，其中，采用所述第一設計規則形成所述第一組金屬層包括形成當前工藝技術節點所允許的最小可重復特征尺寸。

4.如權利要求1所述的集成電路系統的制造方法，其中，互連所述第一組金屬層和第二組金屬層包括來自所述第二組金屬層的帶狀結構導通孔。

5.如權利要求1所述的集成電路系統的制造方法，進一步包括：圍繞所述第一組金屬層和第二組金屬層沉積介電常數值在3.9以下的介電材料。

6.一種集成電路系統，包括：

包括前端工藝電路的基板；

位于該基板上方包括第一指狀結構和第二指狀結構的第一組金屬層，該第一組金屬層的構造遵循第一設計規則且不具有指狀結構導通孔；

位于該第一組金屬層上方包括第一指狀結構、第二指狀結構和指狀結構導通孔的第二組金屬層，該第二組金屬層的構造遵循第二設計規則且該第二設計規則大于所述第一設計規則；以及

所述第一組金屬層與第二組金屬層互連形成電容器。

7.如權利要求6所述的集成電路系統，其中，所述指狀結構導通孔包括交錯構造。

8.如權利要求6所述的集成電路系統，其中，所述第一組金屬層包括當前工藝技術節點所允許的最小可重復特征尺寸。

9.如權利要求6所述的集成電路系統，其中，所述第一組金屬層和第二組金屬層的互連包括來自所述第二組金屬層的帶狀結構導通孔。

10.如權利要求6所述的集成電路系統，進一步包括圍繞所述第一組金屬層和第二組金屬層且介電常數值在3.9以下的介電材料。