[發明專利]殼體結構有效
| 申請號: | 201010182606.3 | 申請日: | 2010-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN101932213A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發明(設計)人: | 紀家銘;祝國政 | 申請(專利權)人: | 仁寶電腦工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K5/00 | 分類號: | H05K5/00;H05K5/02;H05F3/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 殼體 結構 | ||
技術領域
本發明是關于一種殼體結構,且特別是有關于一種能防止靜電放電與阻絕漏電流的殼體結構。
背景技術
現今的電子裝置中,如何防止靜電放電成了產品安全的一個重要課題。為了避免靜電放電造成電子裝置內的電子組件損壞,習知一種作法便是在電子裝置內的兩個不同的接地端之間裝設二極管,例如美國專利US4,958,255中所示者。
再者,當使用者操作電子裝置時,人體所帶的靜電亦會沿著機殼上的縫隙進入機殼內部而放電。為了解決此問題,在另一習知技術中是在機殼內與電子組件之間配置一導電件或防止靜電的電路板,并將此導電件或電路板連接至接地端,藉以將靜電導引至接地端,以避開機殼內的電子組件,例如美國專利US20070121308與US20060266544中所示者。
但上述這些技術僅解決由外而內的靜電放電導致內部電子組件損壞的問題,卻未考慮到電子裝置于使用時,其機殼內的主機板模塊會產生漏電流,而此漏電流會傳導至電子裝置的機殼造成使用者觸電的情形發生。此外,上述這些技術仍須在機殼內增設構件,此舉亦會造成電子裝置的內的可利用空間減少,并會增加電子裝置的成本。
發明內容
本發明提供一種殼體結構,其具有較佳的可靠度與安全性。
本發明的一實施例提出一種殼體結構,適用于一電子裝置。殼體結構包括一第一導體層、一第二導體層以及一第一表面處理層。第一導體層具有一錐形凸部。第二導體層配置于第一導體層的一側,且錐形凸部的一窄端朝向第二導體層。第一表面處理層位于錐形凸部與第二導體層之間。當該第二導體層接受一靜電時,該靜電將被該窄端的該第一導體層所吸引而跳躍至該第一導電層。當該電子裝置產生一漏電流且該漏電流傳遞至該第一導體層時,該漏電流將被該第一表面處理層阻擋而使該第二導體層表面不會有該漏電流。
基于上述,在本發明的上述實施例中,殼體結構通過在第一導體層所形成的錐形凸部,其窄端朝向第二導體層,并在錐形凸部與第二導體層之間形成一第一表面處理層。此舉使電子裝置外部的靜電電荷通過錐形凸部的尖端放電效應而傳導至第一導體層,以避免損害電子裝置內的組件。再者,此殼體結構更進一步使電子裝置內的組件所產生的漏電流被第一表面處理層所阻絕,而不會使漏電流傳導至電子裝置的殼體外而造成使用者觸電的情形。
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1是本發明一實施例的一種殼體結構的示意圖。
圖2是本發明另一實施例的一種殼體結構的示意圖。
圖3是本發明又一實施例的一種殼體結構的示意圖。
符號說明
100:殼體結構???????????110:第一導體層
112:錐形凸部???????????120:第二導體層
130:第一表面處理層?????140:絕緣層
142:凹槽???????????????150:第二表面處理層
200:殼體結構???????????210:第一導體層
212:錐形凸部???????????240:絕緣層
242:凹槽???????????????300:殼體結構
310:導電殼體???????????312:錐形凸部
360:第三表面處理層?????370:第四表面處理層
S1:第一表面????????????S2:第二表面
T1:角度
具體實施方式
圖1是本發明一實施例的一種殼體結構的示意圖。請參考圖1,殼體結構100適用于一電子裝置(未繪示)。在本實施例中,殼體結構100包括一第一導體層110、一第二導體層120、一第一表面處理層130以及一絕緣層140。隨著產品設計的不同,第一導體層110與第二導體層120可為一金屬層、第一表面處理層130可為一金屬氧化物層、且絕緣層140可為一塑料層。第一導體層110配置在絕緣層140上,而絕緣層140具有一凹槽142,因而第一導體層110在凹槽142內的部分形成一錐形凸部112。
再者,第二導體層120配置于第一導體層110的一側。第一表面處理層130位于絕緣層140與第二導體層120之間,而上述錐形凸部112的窄端朝向第二導體層120。換句話說,第一表面處理層130即位在錐形凸部112與第二導體層120之間。第一表面處理層130為對為針對第二導體層120進行表面處理后所生成的產物。當第二導體層120為金屬層時,第一表面處理層130為金屬氧化物層。
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