[發明專利]采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法有效
| 申請號： | 201010181628.8 | 申請日： | 2010-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN101824599A | 公開（公告）日： | 2010-09-08 |
| 發明（設計）人： | 張紅軍;王玲玲;楊平 | 申請（專利權）人： | 陜西斯瑞工業有限責任公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710075 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 真空 熔鑄 法制 備鉻靶 方法 | ||
【權利要求書】：
1.采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法，其特征在于，包括下述步驟：
a.Cr塊的挑選：將有氧化皮、被污染的Cr塊挑出；
b.熔煉：將合格的Cr塊裝入中頻真空感應爐中，升溫速率為10-18 ℃/min，熔煉溫度為1800～2000℃，保溫7-15分鐘；
c.澆注：以0.6～0.8m/s的澆注速度快速澆鑄到水冷Cu模中，進 行快速冷卻制得Cr靶。
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