[發明專利]基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法

無效

• 申請號: 201010181304.4
• 申請日: 2010-05-18
• 公開（公告）號: CN101865832A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 朱振利;劉志付;鄭洪濤
• 申請（專利權）人: 中國地質大學(武漢)
• 主分類號: G01N21/31
• 分類號: G01N21/31
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 崔友明

1.基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法，其特征在于：利用還原劑將樣品中的無機汞還原為Hg⁰，而有機汞生成有機汞氫化物，在介質阻擋放電原子化器不放電時，進行無機汞的測定得到無機汞的濃度；在介質阻擋放電原子化器放電時，有機汞氫化物被原子化，進行總汞的測定，得到總汞的濃度；有機汞的濃度為總汞的濃度與無機汞的濃度之間的差值。

2.按權利要求1所述的基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法，其特征在于：所述的還原劑為濃度為0.01-0.05％(m/v)的NaBH₄或KBH₄。

3.按權利要求1或2所述的基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法，其特征在于：所述的有機汞為甲基汞、乙基汞和苯基汞中的任意一種或幾種的混合。

4.按權利要求1或2所述的基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法，其特征在于：所述的介質阻擋放電原子化器為平行板式結構或同心圓式結構，具有兩個平行電極及兩層絕緣介質層，絕緣介質層位于兩個平行電極之間，兩層絕緣介質層之間的距離為1mm-5mm；兩個平行電極與高壓高頻電源相連，其電壓為220V-10000V，頻率為50Hz-50MHz。

5.按權利要求1所述的基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法，其特征在于：所述的樣品在載流帶動下與還原劑混合，產生的有機汞氫化物與載氣混合后經過分離，有機汞氫化物被載氣帶入到介質阻擋放電原子化器進行原子化。

6.按權利要求5所述的基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法，其特征在于：所述的載流為HCl，所述的載氣為Ar，載氣流速為40-100mL?min^-1。

7.按權利要求1或5所述的基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法，其特征在于：所述的絕緣介質層材料為普通玻璃、耐熱玻璃、石英和陶瓷中的任意一種。

8.按權利要求1或5所述的基于介質阻擋放電低溫原子化器的非色譜汞形態分析方法，其特征在于：所述的樣品為水樣、魚樣或其它生物組織。