[發明專利]低溫多晶硅薄膜及其制造方法、晶體管和顯示裝置無效

申請號：	201010180971.0	申請日：	2010-05-18
公開（公告）號：	CN102254797A	公開（公告）日：	2011-11-23
發明（設計）人：	金原奭;金馝奭	申請（專利權）人：	京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
主分類號：	H01L21/20	分類號：	H01L21/20;H01L29/786;H01L27/02
代理公司：	北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205	代理人：	劉芳
地址：	100015 ***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	低溫多晶薄膜及其制造方法晶體管顯示裝置
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及有機發光顯示器技術，特別涉及一種低溫多晶硅薄膜及其制造方法、晶體管和顯示裝置。

背景技術

隨著平面顯示器技術的蓬勃發展，有源矩陣式有機發光顯示器(ActiveMatrix?Organic?Light?Emitting?Diode，簡稱：AMOLED)由于其具有更輕薄、自發光和高反應速率等優良特性，成為未來液晶顯示器發展的趨勢。其可以包括依次形成在基板底層的有源開關、絕緣層、透明電極、發光層和金屬電極，其中，有源開關通過接觸孔與透明電極連接，以控制影像數據的寫入。目前，為適應AMOLED尺寸大型化的發展，有源開關通常采用低溫多晶硅薄膜晶體管(Low?Temperature?Poly-silicon?TFT，簡稱LTPS-TFT)，作為像素開關控制元件；而用于制作LTPS-TFT的低溫多晶硅薄膜的品質好壞與否對于LTPS-TFT的電性表現有著直接影響，因此，低溫多晶硅薄膜的制造技術也越來越受到重視。

現有技術中，可以采用非激光方式的金屬誘導低溫多晶硅(Metal?InducedCrystallization，簡稱：MIC)工藝制作低溫多晶硅薄膜，該MIC工藝的流程步驟可以參見圖1～圖3所示，圖1為現有技術低溫多晶硅薄膜的制造方法實施例的制造流程剖面示意圖一，圖2為現有技術低溫多晶硅薄膜的制造方法實施例的制造流程剖面示意圖二，圖3為現有技術低溫多晶硅薄膜的制造方法實施例的制造流程剖面示意圖三。首先，可以在玻璃基板11上的緩沖層12的表面上涂覆鎳13；然后，沉積一覆蓋該緩沖層12及鎳13的非晶硅層14；最后，通過結晶化步驟使非晶硅層14轉化為多晶硅層，該多晶硅層中包括多個以鎳13為核心生長的多晶硅晶粒15。

上述的MIC工藝所制得的低溫多晶硅薄膜制作的晶體管的閾值電壓Vth分布比較穩定，但是，其存在如下缺陷：在結晶化過程中，非晶硅層14與鎳13在圖3中所示的接觸面16處將形成鎳硅化物(Ni?silicide)；而該接觸面16在低溫多晶硅薄膜晶體管的制作中是作為柵氧化界面(Gate?Oxideinterface)，Ni?silicide具有一定的導電性，其存在將使得制得的低溫多晶硅薄膜晶體管在關閉狀態時在溝道處的漏電流增大，存在較大的關態電流，很不穩定。

發明內容

本發明的目的是提供一種低溫多晶硅薄膜及其制造方法、晶體管和顯示裝置，使得采用該低溫多晶硅薄膜制得的晶體管電性穩定，有效抑制關態電流的發生。

本發明提供一種低溫多晶硅薄膜制造方法，包括：

提供一基板，并在所述基板上形成一緩沖層；

在緩沖層之上沉積第一非晶硅薄膜；

在第一非晶硅薄膜之上涂覆催化劑顆粒；

沉積第二非晶硅薄膜，所述第二非晶硅薄膜覆蓋所述第一非晶硅薄膜和催化劑顆粒；

對所述第一非晶硅薄膜和第二非晶硅薄膜進行結晶化，使之結晶形成低溫多晶硅薄膜。

本發明提供一種低溫多晶硅薄膜，采用上述的低溫多晶硅薄膜的制造方法所制得。

本發明提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管，包括：

基板；

半導體層，由上述的低溫多晶硅薄膜構成，形成在所述基板的上方；所述半導體層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和漏極區之間的溝道區；