[發明專利]低溫多晶硅薄膜及其制造方法、晶體管和顯示裝置

無效

• 申請號: 201010180971.0
• 申請日: 2010-05-18
• 公開（公告）號: CN102254797A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 金原奭;金馝奭
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L29/786;H01L27/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種低溫多晶硅薄膜制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板，并在所述基板上形成一緩沖層；

在緩沖層之上沉積第一非晶硅薄膜；

在所述第一非晶硅薄膜之上涂覆催化劑顆粒；

沉積第二非晶硅薄膜，所述第二非晶硅薄膜覆蓋所述第一非晶硅薄膜和催化劑顆粒；

對所述第一非晶硅薄膜和第二非晶硅薄膜進行結晶化，使之結晶形成低溫多晶硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成一緩沖層為：

在所述基板上形成氧化硅層作為緩沖層。

3.根據權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜制造方法，其特征在于，所述催化劑顆粒包括Ni、Cu、Al、Er或Cr。

4.一種低溫多晶硅薄膜，其特征在于，采用權利要求1～3任一所述的低溫多晶硅薄膜制造方法所制得。

5.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

半導體層，由權利要求4所述的低溫多晶硅薄膜構成，形成在所述基板的上方；所述半導體層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和漏極區之間的溝道區；

柵絕緣層和柵極，依次形成在所述半導體區域的上層，所述柵極對應于所述溝道區的位置；

介電層，形成在所述柵極和柵絕緣層的上方，且所述介電層中形成有第一過孔和第二過孔，源極金屬通過所述第一過孔與所述源極區連接，漏極金屬通過所述第二過孔與所述漏極區連接。

6.一種顯示裝置，包括基板，其特征在于，所述基板上形成有權利要求5所述的低溫多晶硅薄膜晶體管。