[發明專利]有機金屬化學氣相沉積機臺無效
| 申請號: | 201010180970.6 | 申請日: | 2010-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN102242353A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 江俊德;林明宏 | 申請(專利權)人: | 佛山市奇明光電有限公司;奇力光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54;C23C16/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 528237 廣東省佛山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 金屬 化學 沉積 機臺 | ||
技術領域
本發明涉及一種化學氣相沉積(Chemical?Vapor?Deposition;CVD)機臺,且特別是涉及一種有機金屬化學氣相沉積(Metal-Organic?CVD;MOCVD)機臺。
背景技術
在發光二極管(LED)的制作過程中,由于發光二極管中的半導體材料層的品質與發光二極管的發光品質息息相關,因此各半導體材料層的外延程序是相當重要的步驟。而發光二極管的外延程序中,一般均需要利用晶片承載盤(Wafer?Susceptor)來裝載晶片。
一般,在目前的晶片承載盤技術中,都是單一晶片承載盤僅能裝載單一種尺寸的晶片。以現在的發光二極管外延工藝而言,晶片承載盤的設計都是以2英寸晶片承載區來布滿整個晶片承載盤。其中,由于這些晶片承載區的尺寸小,因此可以緊密排列方式設置,進而可獲得較大的晶片承載盤利用效率。
隨著工藝技術的進步,所采用的晶片尺寸也逐漸增加。舉例而言,在發光二極管的制作上,藍光外延基板由原先的2英寸發展至現今的4英寸?;宄叽绲脑黾右话愕哪康氖怯靡越档秃罄m管芯工藝的成本。但是,受限于原反應腔體的尺寸,而無法將擴大晶片承載盤的尺寸。此時,晶片承載盤的承載區重新規劃調整來裝載4英寸晶片后,所能設置的4英寸晶片承載區的數量會大幅縮減至7個。
請參照圖1,其繪示傳統晶片承載盤上二種尺寸的晶片承載區的布局示意圖。在此晶片承載盤100上,若設計用以裝載2英寸晶片時,可在晶片承載盤100的表面102上設置31個2英寸的晶片承載區104,如圖1所示的虛線圓。在此設計下,小尺寸的晶片承載區104可緊密排列。另一方面,當將晶片承載盤100設計來裝載4英寸晶片時,受限于晶片的尺寸的影響,僅能在晶片承載盤100的表面102上設置7個4英寸的晶片承載區106,如圖1所示的實線圓。
由圖1可看出,設置4英寸的晶片承載區106時,晶片承載盤100的表面102面積的利用率明顯低于設置2英寸的晶片承載區104時。如此一來,在相同尺寸有機金屬化學氣相沉積(Metal-Organic?CVD;MOCVD)機臺的反應腔體下,大尺寸晶片的采用雖然可以節省后續管芯工藝的成本,但是在于前段的外延工藝時,不僅沒有達到增加元件產出數量的目的,反而降低了元件的產出數量,進而有提高工藝成本的情況產生。
發明內容
因此,本發明的一態樣就是在提供一種有機金屬化學氣相沉積機臺,其晶片承載盤設置多尺寸的晶片承載區,如此一來,可更有效地利用晶片承載盤的使用空間。
本發明的另一態樣是在提供一種有機金屬化學氣相沉積機臺,其晶片承載盤的設計具有高承載空間,因此可大幅提高元件的生產效率,產能可獲得提升。
本發明的又一態樣是在提供一種有機金屬化學氣相沉積機臺,其可兼顧晶片承載盤的空間的利用率與大尺寸晶片的采用,因此可降低生產成本。
根據本發明的上述目的,提出一種有機金屬化學氣相沉積機臺。此有機金屬化學氣相沉積機臺包含反應腔體、旋轉座、晶片承載盤、加熱器以及噴氣頭(Shower?Head)。反應腔體具有開口。旋轉座設于反應腔體中。晶片承載盤設于旋轉座上,且旋轉座可帶動晶片承載盤旋轉。其中,晶片承載盤包含至少二不同直徑的多個承載區,設于晶片承載盤的表面上,這些承載區適用以對應裝載多個晶片。加熱器設于晶片承載盤下方,且位于旋轉座內。噴氣頭覆蓋在反應腔體的開口上,以朝晶片承載盤的表面上施放反應氣體。
依據本發明的實施例,上述的承載區中包含直徑相同的多個第一承載區、以及直徑相同的多個第二承載區,且第一承載區的直徑大于第二承載區的直徑。
依據本發明的另一實施例,上述的第一承載區的深度大于第二承載區的深度。
依據本發明的又一實施例,上述的第一承載區的深度等于第二承載區的深度。
依據本發明的再一實施例,上述的承載區的深度小于對應裝載的晶片的厚度。
通過在晶片承載盤上設置至少二種尺寸的晶片承載區,可更有效地利用晶片承載盤的使用空間,因此不僅可兼顧晶片承載盤的空間的利用率與大尺寸晶片的采用,更可達到提高元件的生產效率與降低生產成本的目的。
附圖說明
為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂,附圖的說明如下:
圖1繪示傳統晶片承載盤上二種尺寸的晶片承載區的布局示意圖。
圖2繪示依照本發明實施方式的一種有機金屬化學氣相沉積機臺的裝置示意圖。
圖3繪示依照本發明實施方式的一種晶片承載盤的俯視圖。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





