[發明專利]發光器件、發光器件封裝以及包括該封裝的照明系統

無效

• 申請號: 201010180540.4
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號: CN101887933A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 黃盛珉;樸京根
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/48;F21S2/00;F21Y101/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

技術領域

本發明涉及發光器件、發光器件封裝以及包括該封裝的照明系統。

背景技術

發光器件、發光器件封裝以及包括發光器件封裝的照明系統是已知的。然而，它們具有各種缺點。

發明內容

根據本發明的一個實施方案，提供一種發光器件(LED)，包括：包括第一導電型的第一半導體層、鄰接所述第一半導體層的有源層以及鄰接所述有源層的第二導電型的第二半導體層的發光結構；鄰接所述第二半導體層的電流阻擋層；鄰接所述第一半導體層的第一電極；和鄰接所述第二半導體層的第二電極；其中所述電流阻擋層包括半導體區域。

根據本發明的一個實施方案，提供一種LED封裝，包括：根據本發明的LED；和其中設置所述LED的封裝體。

根據本發明的一個實施方案，提供一種照明系統，包括具有根據本發明的LED封裝的發光模塊。

根據本發明的一個實施方案，提供一種制造發光器件(LED)的方法，包括：在第一導電型的第一半導體層上形成有源層；在所述有源層上形成第二導電型的第二半導體層；在所述第二半導體層上形成包括半導體區域的電流阻擋層；在所述第一半導體層上形成第一電極，其中所述第一電極設置為與形成于所述第二半導體層上的所述電流阻擋層在空間上交疊；和在所述第二半導體層和所述半導體區域上形成第二電極。

附圖說明

將參考以下附圖詳細地描述實施方案，其中相同附圖標記表示相同元件，其中：

圖1是根據一個實施方案的發光器件(LED)的截面圖。

圖2～4是說明根據一個實施方案制造所述LED的工藝的截面圖。

圖5是根據另一個實施方案的LED的截面圖。

圖6～8是說明根據另一個實施方案制造所述LED的工藝的截面圖。

圖9是根據一個實施方案的LED封裝的截面圖。

具體實施方式

發光器件(LED)是將電流轉化為光的半導體器件。紅色和綠色的LED可用作光源，用于電子器件(包括通信器件)。例如，氮化鎵(GaN)半導體具有高熱穩定性和寬帶隙。GaN半導體可與其它元素(例如In和Al)組合來制造發射綠色光、藍色光或者白色光的半導體層，并且可控制其發射的波長。因此，包括GaN半導體的LED可用于高功率電子器件中。

LED可為橫向型或者垂直型。在垂直LED中，在LED的上側和下側分別設置注入電流的n-型電極和p-型電極。分別通過n-型電極和p-型電極注入的電子和空穴流入有源層中，電子和空穴在有源層中彼此復合以產生可被發射的光。

在有源層中產生的光的一部分可被n-型電極反射。因此，反射光在LED內部可損失，發光效率可由此降低。此外，通過n-型電極反射的光的再次吸收可產生熱。在n-型電極下可還產生電子溢流現象，這使得發射的光的量減少。電子和空穴可在有源層外部的區域中復合，這可產生附加熱。電流擁擠可另外使LED的壽命和可靠性劣化。

圖1是根據一個實施方案的發光器件(LED)的截面圖。根據該實施方案的發光器件(LED)可包括：發光結構、第一電流阻擋層141、第二電極150和第一電極160。發光結構可包括：第二導電型的第二半導體層130、有源層120和第一導電型的第一半導體層110。在第二半導體層130上可設置第一電流阻擋層141。在第二半導體層130和第一電流阻擋層141上可設置第二電極150。在第一半導體層110上可設置第一電極160。

第一電流阻擋層141可設置于第二半導體層130中，但是不限于此。電流阻擋層141可設置為引起電壓降，該電壓降可調整有源層120中載流子分布。例如，可調整形成電流阻擋層141的第一導電區域的摻雜濃度和厚度，或者可調整與第二電極的歐姆接觸，以調整在第一電極下限定的有源區中的電壓降，由此減少電子溢流并改善電流分散和發光功率。

將參考圖2～4描述根據一個實施方案的制造LED的方法。準備第一襯底。第一襯底可為藍寶石襯底、SiC襯底或者基于材料的意圖用途的其它適合材料。可對第一襯底實施濕蝕刻工藝以移除第一襯底的表面上的雜質。