[發明專利]發光器件、發光器件封裝以及包括該封裝的照明系統

無效

• 申請號: 201010180540.4
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號: CN101887933A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 黃盛珉;樸京根
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/48;F21S2/00;F21Y101/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

1.一種發光器件(LED)，包括：

包括第一導電型的第一半導體層、鄰接所述第一半導體層的有源層、以及鄰接所述有源層的第二導電型的第二半導體層的發光結構；

鄰接所述第二半導體層的電流阻擋層；

鄰接所述第一半導體層的第一電極；和

鄰接所述第二半導體層的第二電極；

其中所述電流阻擋層包括半導體區域。

2.根據權利要求1所述的LED，其中所述電流阻擋層包括GaN半導體層。

3.根據權利要求1所述的LED，其中所述半導體區域為第一導電型。

4.根據權利要求1所述的LED，其中所述半導體區域是未摻雜的半導體區域。

5.根據權利要求1所述的LED，其中所述半導體區域是輕度摻雜的半導體區域。

6.根據權利要求1所述的LED，其中所述第一電極與所述電流阻擋層的至少一部分在空間上交疊。

7.根據權利要求1所述的LED，其中所述電流阻擋層設置在所述第二半導體層中。

8.根據權利要求1所述的LED，其中所述電流阻擋層設置在所述第二電極中。

9.根據權利要求1所述的LED，其中在除了其中所述電流阻擋層接觸所述第二半導體層的區域之外，在所述第二半導體層和所述第二電極之間提供歐姆接觸。

10.一種LED封裝，包括：

根據權利要求1所述的LED；和

其中設置所述LED的封裝體。

11.一種照明系統，包括具有根據權利要求10所述的LED封裝的發光模塊。

12.一種制造發光器件(LED)的方法，包括：

在第一導電型的第一半導體層上形成有源層；

在所述有源層上形成第二導電型的第二半導體層；

在所述第二半導體層上形成包括半導體區域的電流阻擋層；

在所述第一半導體層上形成第一電極，其中所述第一電極設置為與形成于所述第二半導體層上的所述電流阻擋層在空間上交疊；和

在所述第二半導體層和所述半導體區域上形成第二電極。

13.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述電流阻擋層的步驟包括：

在所述第二半導體層的表面上放置第一掩模；和

利用所述第一掩模來摻雜所述第二半導體層的表面，以形成導電型不同于所述第二半導體層的導電型的所述半導體區域。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述半導體區域的導電型是第一導電型。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述半導體區域是未摻雜的或者輕度摻雜的半導體區域中的至少一種。

16.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述電流阻擋層的步驟包括：

在所述第二半導體層的頂部上形成半導體區域。

17.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述第二電極的步驟包括：在除了其中所述電流阻擋層接觸所述第二半導體層的區域之外，在所述第二電極和所述第二半導體層之間形成歐姆接觸。

18.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述電流阻擋層的步驟還包括：調整所述電流阻擋層的厚度以控制與所述電流阻擋層在空間上交疊的所述有源層中的載流子分布。

19.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述電流阻擋層的步驟還包括：調整所述電流阻擋層的摻雜濃度以控制與所述電流阻擋層在空間上交疊的所述有源層中的載流子分布。

20.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述第二電極的步驟還包括：調整所述第二電極的歐姆接觸以改變在所述第一電極之下的有源區中的電壓降，其中所述電壓降控制與所述電流阻擋層在空間上交疊的所述有源層中的載流子分布。