[發(fā)明專利]真空自蔓延燃燒法合成ZrB2-SiC基超高溫陶瓷粉體的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010179478.7 | 申請日： | 2010-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN101838147A | 公開（公告）日： | 2010-09-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李艷;周曉軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 李艷 |
| 主分類號： | C04B35/58 | 分類號： | C04B35/58;C04B35/565;C04B35/626 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 李紀昌 |
| 地址： | 214153 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 真空 蔓延 燃燒 合成 zrb sub sic 超高溫 陶瓷 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種真空自蔓延燃燒法合成ZrB2-SiC基超高溫陶瓷粉體的制備方法，其特征在于如下步驟：
(1)、稱料：稱取Zr、Si和B4C，所述Zr、Si與B4C的摩爾比為2-2.3∶1∶1-2；
(2)、混料：采用行星球磨法，使用合金球作為混料球，將合金球與上述原料的混合物按球料比為4∶1進行混合，無水乙醇做分散介質(zhì)，球磨機轉(zhuǎn)速在100-300rpm，混合4-16小時，混合后干燥得到混合粉體；
(3)、壓坯：將混合粉體5～30MPa壓力作用下壓制成密實的坯體；
(4)、自蔓延合成：將所壓坯體置于真空環(huán)境中，真空度為1×10-3Pa-5×10-3Pa，調(diào)節(jié)溫度150-250℃，用鎢絲點火，使坯體被點燃，中止點火，使反應自發(fā)的進行下去，待冷卻后收集樣品；
(5)、球磨粉碎：上述樣品通過行星球磨獲得細微粉體，使用合金球作為攪拌球，球料比為4∶1，乙醇做分散介質(zhì)，轉(zhuǎn)速在300-500rpm，時間為8-16小時，混合后干燥得到ZrB2-SiC-ZrC混合粉體，粒度在1-10μm，獲得ZrB2-SiC基超高溫陶瓷粉。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于李艷，未經(jīng)李艷許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010179478.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
