[發(fā)明專利]半導體晶圓及制造半導體裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010178231.3
• 申請日: 2010-05-11
• 公開（公告）號: CN101908522A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設計）人: 陳憲偉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/485;H01L23/544;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體晶圓，其特征在于其包含：

一第一晶片，設置在一基材中；

一第二晶片，鄰設在該第一晶片旁，且設置在該基材中；

一切割道，設置在該第一晶片及該第二晶片之間；

一第一金屬層及一第二金屬層，設置在該切割道之上，其中該第二金屬層是設置在該第一金屬層之上；

一第一對準標示，設置在該切割道的一第一部分之上的該第一金屬層之中；以及

一第一金屬特征，設置在該切割道的該第一部分之上的該第二金屬層之中。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶圓，其特征在于其中所述的第一金屬特征的總表面積除以該切割道的該第一部分的總表面積是20％至50％。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶圓，其特征在于一第三金屬層直接設置在該第一金屬層之下，且該第三金屬層并未包含金屬特征于該切割道的該第一部分之上。

4.根據(jù)權利要求3所述的半導體晶圓，其特征在于更包含：

一第四金屬層，設置在該第二金屬層之上，其中該第四金屬層覆蓋在該切割道之上，且該第四金屬層包含多個第二金屬特征于該切割道的該第一部分之上。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體晶圓，其特征在于其中所述的第一金屬特征是相對于該第二金屬特征做橫向交錯。

6.根據(jù)權利要求3所述的半導體晶圓，其特征在于更包含：

一第四金屬層，直接設置在該第三金屬層之下，其中該第四金屬層覆蓋在該切割道之上，且該第四金屬層包含多個第二金屬特征于該切割道的該第一部分之上。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶圓，其特征在于更包含：

一第三金屬層及一第四金屬層，覆蓋在該切割道之上，其中該第三金屬層及該第四金屬層是設置在該第一金屬層及該第二金屬層之上，該第四金屬層是直接設置在該第三金屬層之上；以及

一第二對準標示，設置在該切割道的一第二部分之上的該第四金屬層之中，其中該第三金屬層并未包含位于該切割道的該第二部分之上金屬特征，其中該第一對準標示較該第二對準標示更接近該切割道的一邊緣。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體晶圓，其特征在于更包含：

一第五金屬層，覆蓋在該切割道之上，其中該第五金屬層是設置在該第三金屬層及該第四金屬層之上；以及

多個第二金屬特征，設置在該切割道的該第二部分之上的該第五金屬層之中。

9.根據(jù)權利要求7所述的半導體晶圓，其特征在于更包含：

一第五金屬層、一第六金屬層及一第七金屬層，覆蓋在該切割道之上，其中該第五金屬層、該第六金屬層及該第七金屬層是設置該第三金屬層及該第四金屬層之上，該第七金屬層是直接設置該第六金屬層上，該第六金屬層是設置在該第五金屬層之上；

一第三對準標示，設置在該切割道的一第三部分之上的該第七金屬層之中，其中該第六金屬層并未包含位于該切割道的該第三部分之上的金屬特征；以及

多個第二金屬特征，設置在該切割道的該第二部分之上的該第五金屬層之中。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體晶圓，其特征在于更包含：

多個第三金屬特征，設置在該切割道的該第三部分之上的該第一金屬層之中，其中該切割道的該第一部分較該切割道的該第二部分更接近該切割道的一邊緣，且該切割道的該第二部分較該切割道的該第三部分更接近該切割道的該邊緣。

11.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于其包括以下步驟：

形成多個切割道及包含有主動裝置的多個區(qū)域于一基材中，其中該些切割道將該些區(qū)域分隔開；

形成一第一對準標示于一第一金屬層中，其中該第一金屬層是位于該些切割道其中至少一個的一第一部分之上；以及

形成多個第一金屬特征于一第二金屬層中，其中該第二金屬層是位于該些切割道的該第一部分之上，且該第二金屬層是設置在該第一金屬層之上。

12.根據(jù)權利要求11所述的制造半導體裝置的方法，其特征在于更包含：

在形成該第一金屬層之前，形成覆蓋在該基材之上的一第三金屬層，其中該第三金屬層并未包含位于該些切割道的該第一部分之上的金屬特征；以及

在形成該第三金屬層之前，形成覆蓋在該基材之上的一第四金屬層，其中該第四金屬層包含位于該些切割道的該第一部分之上的多個第二金屬特征。