[發(fā)明專利]光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010178025.2
• 申請(qǐng)日: 2010-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN101894569A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 諏訪部正次;中山比呂史;豬狩孝洋;太田輝之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): G11B7/24
• 分類號(hào): G11B7/24;G11B7/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法。具體地，本發(fā)明涉及用于在照射光時(shí)進(jìn)行記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)的光學(xué)記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)

到目前為止，可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)已經(jīng)廣泛普及，該可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)用于在信息信號(hào)層上照射有激光時(shí)進(jìn)行讀取或?qū)懭胄畔⑿盘?hào)。通常，對(duì)于可重寫藍(lán)光光盤等中采用的信息記錄層，采用相變記錄材料，在該相變記錄材料中照射激光時(shí)發(fā)生晶相和非晶相之間的可逆改變(例如，見JP-A-2006-18926)。在該相變記錄材料中，通過急劇降低照射激光時(shí)被加熱的記錄層的溫度，可以形成非晶相(記錄標(biāo)記)，并且照射具有相對(duì)小的功率的激光相對(duì)長(zhǎng)的時(shí)間非晶相可以返回到晶相。因?yàn)檫@樣的原因，其可以進(jìn)行多次重寫。

發(fā)明內(nèi)容

然而，在記錄次數(shù)增加的情況下，通常存在這樣的趨勢(shì)：熱損壞累積在相變記錄層中，實(shí)施晶相和非晶相之間的可逆改變的功能失去，并且記錄標(biāo)記的再現(xiàn)特性劣化。該劣化的程度取決于制造條件。根據(jù)本發(fā)明人最近的了解，在剛好在相變記錄層的薄膜沉積之前的真空度相對(duì)差的情況下，前述劣化變得顯著。例如，在雙層藍(lán)光光盤中，因?yàn)閺幕宓某尚偷絃1層的薄膜沉積的時(shí)間必定變得很長(zhǎng)，因此，水分被吸入樹脂基板和由UV硬化樹脂形成的中間層中。當(dāng)吸入的水分釋放在用于L1層薄膜沉積的真空濺射設(shè)備中時(shí)，L1層的記錄/再現(xiàn)特性，特別是重復(fù)重寫后的抖動(dòng)(jitter)，劣化。為了抑制該影響，可以考慮圖1的流程圖所示的技術(shù)，具有形成在其上的L0層和中間層的基板置于80℃的高溫很長(zhǎng)的時(shí)間周期，并且在基板和中間層中的水分被脫氣且干燥后，得到的結(jié)構(gòu)被投入用于L1層薄膜沉積的真空濺射設(shè)備。然而，該脫氣花費(fèi)4小時(shí)或更長(zhǎng)的時(shí)間，因此，生產(chǎn)率顯著下降。

從而，所希望的是提供一種光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法，該光學(xué)記錄介質(zhì)能夠增強(qiáng)對(duì)重復(fù)記錄的耐久性，而不引起生產(chǎn)率的下降。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括：

基板，具有第一主表面和第二主表面；

一個(gè)或多個(gè)信息信號(hào)層，形成在基板的第一主表面上，用于在照射光時(shí)進(jìn)行信息信號(hào)的記錄或再現(xiàn)；以及

阻擋層，形成在基板的第二主表面上，用于抑制氣體從基板的第二主表面釋放，其中

基板的第二主表面由阻擋層暴露的區(qū)域的面積不大于688mm²。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例涉及制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，包括如下步驟：

成型具有第一主表面和第二主表面的基板；

在基板的第一主表面上形成第一信息信號(hào)層；

在第一信息信號(hào)層上形成中間層；

在中間層上形成第二信息信號(hào)層；以及

在成型基板的步驟之后并在形成第二信息信號(hào)層的步驟之前，在基板的第二主表面上形成阻擋層用于抑制自基板的第二主表面的氣體釋放，其中

在形成阻擋層的步驟中，基板的第二主表面由阻擋層暴露的區(qū)域的面積不大于688mm²。

在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，不僅形成了用于抑制在基板的第二主表面上的氣體釋放的阻擋層，而且基板的第二主表面由阻擋層暴露的區(qū)域的面積設(shè)定為不大于688mm²。據(jù)此，在信息信號(hào)記錄層的形成中，可以有效抑制基板內(nèi)的排氣。出于這樣的原因，在信息信號(hào)層的形成中，可以抑制由諸如水分的雜質(zhì)氣體引起的真空度的劣化。從而，可以獲得由重復(fù)記錄引起的劣化很小的信息信號(hào)層。就是說，甚至在不實(shí)施高溫脫氣處理時(shí)，也可以獲得對(duì)重復(fù)記錄具有優(yōu)秀耐久性的光學(xué)記錄介質(zhì)。

如前所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以獲得對(duì)重復(fù)記錄的優(yōu)秀耐久性，而不引起生產(chǎn)率的下降。

附圖說明

圖1是用于說明包括脫氣處理的制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法的流程圖；

圖2的示意性截面圖示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例；

圖3的示意性截面圖示出了第一信息信號(hào)層的構(gòu)造示例；

圖4的示意性截面圖示出了第二信息信號(hào)層的構(gòu)造示例；

圖5的平面圖示出了形成在基板后表面上的阻擋層的薄膜沉積區(qū)域；

圖6是用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法示例的流程圖；

圖7的示意圖示出了外周掩模31和內(nèi)周掩模32的布置示例。

圖8的示意性截面圖示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例；

圖9的圖線示出了經(jīng)歷示例1至4和比較例1和2的每個(gè)光學(xué)記錄介質(zhì)的相變記錄層的薄膜沉積的真空室的真空度；

圖10的圖線示出了示例1至4和比較例1和2的每個(gè)光學(xué)記錄介質(zhì)在1000次重寫后的抖動(dòng)；