[發明專利]基板及應用其的半導體封裝件與其制造方法有效
| 申請號: | 201010177535.8 | 申請日: | 2010-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN101819951A | 公開(公告)日: | 2010-09-01 |
| 發明(設計)人: | 黃士輔;李俊哲;李達鈞;陳姿慧 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/12 | 分類號: | H01L23/12;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用 半導體 封裝 與其 制造 方法 | ||
1.一種基板,包括:
一圖案化線路層,具有相對的一第一面與一第二面,該第一面具有數個第一接 點,該第二面具有數個第二接點;
一第一介電保護層,形成于該第一面上并露出該些第一接點;
一第二介電保護層,形成于該第二面上并露出該些第二接點;
一金屬支撐層,埋設于該第二介電保護層內,用以強化該基板的結構強度;以 及
一金屬遮蔽層,夾設于該金屬支撐層與該圖案化線路層之間。
2.如權利要求1所述的基板,其中該金屬支撐層圍繞該些第二接點。
3.如權利要求1所述的基板,其中該第二介電保護層更覆蓋該金屬支撐層。
4.如權利要求1所述的基板,其中該金屬遮蔽層的材質為鎳。
5.如權利要求1所述的基板,其中該金屬支撐層及該圖案化線路層的材質為 銅。
6.如權利要求1所述的基板,更包括:
一第一表面處理層,形成于該些第一接點上;以及
一第二表面處理層,形成于該些第二接點上。
7.一種半導體封裝件,包括:
一基板,包括:
一圖案化線路層,具有相對的一第一面與一第二面,該第一面具有數個第 一接點,該第二面具有數個第二接點;
一第一介電保護層,形成于該第一面上并露出該些第一接點;
一金屬遮蔽層,形成于該第二面上;
一金屬支撐層,形成于該金屬遮蔽層上并埋設于第二介電保護層內,用以 強化該基板的結構強度;及
一第二介電保護層,形成于該第二面上并露出該些第二接點;
數個焊球,電性連接于該些第二接點;以及
一半導體組件,電性連接于該些第一接點,
其中,該金屬遮蔽層夾設于該金屬支撐層與該圖案化線路層之間。
8.一種基板的制造方法,包括:
提供一載板,該載板具有一第一載板表面;
形成一基板結構于該第一載板表面上,包括以下步驟:
將一金屬支撐板經由一第一黏貼膜于設置于該載板上;
形成一蝕刻阻障層于該金屬支撐板上;
形成一遮蔽圖案于該蝕刻阻障層上;
形成一圖案化線路層于該蝕刻阻障層中未被該遮蔽圖案覆蓋的部分上,其 中該圖案化線路層具有相對的一第一面與一第二面,該圖案化線路層的該第一面具 有數個第一接點且該圖案化線路層的該第二面具有數個第二接點,該圖案化線路層 的該第二面面向該蝕刻阻障層;
移除該遮蔽圖案;
形成一第一介電保護層于該圖案化線路層的該第一面上,該第一介電保護 層露出該些第一接點;
黏貼一第二黏貼膜于該第一介電保護層上;
倒置該金屬支撐板、該第一黏貼膜、該圖案化線路層、該蝕刻阻障層、該 第一介電保護層及該第二黏貼膜,并使該第二黏貼膜黏貼于該載板上;
移除該第一黏貼膜;
移除該金屬支撐板的一部分以形成一金屬支撐層,該金屬支撐層露出該蝕 刻阻障層的一部分;
移除該蝕刻阻障層的該部分以形成一金屬遮蔽層;及
形成一第二介電保護層于該第二面上,該第二介電保護層并露出該些第二 接點;
分離該載板與該第二黏貼膜;以及
移除該第一介電保護層上的該第二黏貼膜。
9.如權利要求8所述的制造方法,其中該載板更具有一與該第一載板表面相 對的第二載板表面,該制造方法更包括:
形成另一基板結構于該第二載板表面上。
10.如權利要求8所述的制造方法,其中于移除該金屬支撐板的該部分的該步 驟中,該金屬支撐層圍繞該些第二接點。
11.如權利要求8所述的制造方法,其中于形成該第二介電保護層于該第二面 的該步驟中,該第二介電保護層更覆蓋該金屬支撐層。
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