[發明專利]非易失性半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201010175935.5
• 申請日: 2010-05-05
• 公開（公告）號: CN101882466A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 金田義宣
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉建

1.一種非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，具備：

第一存儲體，其包括能夠進行電寫入和電讀取的多個存儲器單元；

第二存儲體，其包括能夠進行電寫入和電讀取的多個存儲器單元；

第一端口，其串行輸入第一控制信號；

第二端口，其串行輸入第二控制信號；

模式切換端子，其輸入對第一模式和第二模式進行切換的模式切換信號；和

控制電路，其根據輸入給所述模式切換端子的模式切換信號，在第一模式中，能夠根據輸入給所述第一端口的第一控制信號對所述第一存儲體進行存取，并且能夠根據輸入給所述第二端口的第二控制信號對所述第二存儲體進行存取，在第二模式中，根據輸入給所述第一端口的第一控制信號，能夠對所述第一和第二存儲體雙方進行存取。

2.根據權利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述控制電路具備：

第一控制電路，其控制對第一存儲體的存取；

第二控制電路，其控制對第二存儲體的存取；和

模式切換電路，其按照在第一模式中分別向所述第一和第二控制電路提供所述第一和第二控制信號，而在第二模式中分別向所述第一和第二控制電路提供所述第一控制信號并且使所述第二控制信號無效的方式進行切換，

在所述第二模式中，所述第一和第二控制電路根據所述第一控制信號分別控制對所述第一和第二存儲體的存取。

3.根據權利要求1或2所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述第一控制信號包含第一串行時鐘、與第一串行時鐘同步的第一串行數據，所述第二控制信號包含第二串行時鐘、與第二串行時鐘同步的第二串行數據。

4.根據權利要求3所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

在所述第二模式中，為了對所述第一和第二存儲體雙方進行存取，在所述第一串行數據中追加1比特的地址數據，

所述控制電路在所述第二模式中，當被追加的地址數據為第一值時，能夠對所述第一存儲體進行存取，

當被追加的地址數據為第二值時，能夠對所述第二存儲體進行存取。