[發明專利]非易失性半導體存儲裝置有效
| 申請號: | 201010175935.5 | 申請日: | 2010-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN101882466A | 公開(公告)日: | 2010-11-10 |
| 發明(設計)人: | 金田義宣 | 申請(專利權)人: | 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社 |
| 主分類號: | G11C16/02 | 分類號: | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉建 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性 半導體 存儲 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種可進行電刪除和編程的非易失性半導體存儲裝置(EEPROM:Electrically?Erasable?Programmable?Only?Memory),特別是提供一種雙端口EEPROM。
背景技術
雙端口EEPROM具有多個存儲體,是一種構成為能夠獨立地對各存儲體進行存取的EEPROM。
例如,具有第一和第二存儲體的雙端口EEPROM具有第一和第二端口。而且,通過向第一端口串行輸入第一控制信號(時鐘、地址數據等),能夠對第一存儲體進行存取,并且通過向第二端口串行輸入第二控制信號(時鐘、地址數據等),能夠對第二存儲體進行存取。
從用戶的角度考慮,雙端口EEPROM通過在一個封裝體上搭載多個EEPROM而構成,對于多個系統獨立的系統,能夠獨立地且同時使用這些EEPROM。專利文獻1公開了雙端口EEPROM。
【專利文獻1】日本特開平11-306010號公報
如上所述,在現有的雙端口EEPROM中,能夠獨立地對多個存儲體進行存取。因此,對各存儲體進行數據的寫入時,也需要輸入對應于與各存儲體的端口相應的端口的控制信號,存在耗時長的問題。
發明內容
本發明的非易失性半導體存儲裝置的特征在于,具備:第一存儲體,其包括能夠進行電寫入和電讀取的多個存儲器單元;第二存儲體,其包括能夠進行電寫入和電讀取的多個存儲器單元;第一端口,其串行輸入第一控制信號;第二端口,其串行輸入第二控制信號;模式切換端子,其輸入對第一模式和第二模式進行切換的模式切換信號;和控制電路,其根據輸入給所述模式切換端子的模式切換信號,在第一模式中,能夠根據輸入給所述第一端口的第一控制信號對所述第一存儲體進行存取,并且能夠根據輸入給所述第二端口的第二控制信號對所述第二存儲體進行存取,在第二模式中,根據輸入給所述第一端口的第一控制信號,能夠對所述第一和第二存儲體雙方進行存取。
(發明效果)
根據本發明,能夠減少EEPROM的寫入時間。
附圖說明
圖1是表示本發明的實施方式的EEPROM的構成的圖。
圖2是說明本發明的實施方式的EEPROM的動作的圖。
圖3是說明本發明的實施方式的EEPROM的動作的圖。
圖4是說明本發明的實施方式的EEPROM的動作的圖。
圖5是表示EEPROM的端子配置的圖。
圖6是表示本發明的實施方式的EEPROM與ROM記錄器之間的連接例的圖。
圖7是說明本發明的實施方式的EEPROM的寫入動作的圖。
圖8是具有HDMI連接器的顯示器裝置的系統構成圖。
圖中:1-EEPROM;10-第一時鐘輸入端子;11-第一數據輸入輸出端子;12-第二時鐘輸入端子;13-第二數據輸入輸出端子;14-模式切換端子;15~17-輸入緩沖器;18、19-輸入輸出緩沖器;20-模式切換電路;20A、20B-多路轉接器;21-第一存儲體;22-第二存儲體;23-第一存儲體控制電路;24-第二存儲體控制電路;100-液晶電視;101、102-HDMI連接器;103、104-電平轉換器;105-HDMI接收機;106-影像信號處理器;111-DVD;112-HDD。
具體實施方式
下面,參照添圖說明本發明的實施方式。
[EEPROM1的構成]
圖1是表示本發明的實施方式的EEPROM1的構成的圖。EEPROM1是串行接口方式的EEPROM,具備輸入第一串行時鐘SCL1的第一時鐘輸入端子10、輸入輸出與第一串行時鐘SCL1同步的第一串行數據SDA1的第一數據輸入輸出端子11、輸入第二串行時鐘SCL2的第二時鐘輸入端子12、輸入輸出與第二串行時鐘SCL2同步的第二串行數據SDA2的第二數據輸入輸出端子13、輸入模式切換信號COMB的模式切換端子14。
第一時鐘輸入端子10和第一數據輸入輸出端子11構成第一端口,第二時鐘輸入端子12和第二數據輸入輸出端子13構成第二端口。
EEPROM1還具備輸入緩沖器15~17、輸入輸出緩沖器18、19、模式切換電路20、第一存儲體21、第二存儲體22、第一存儲體控制電路23、第二存儲體控制電路24。
第一和第二存儲體21、22是包括可進行電寫入和電讀取的多個存儲器單元的存儲區域。以下,以具有2k比特(256×8比特)的存儲容量的存儲體為一例說明第一和第二存儲體21、22。
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