[發明專利]一種接觸孔、半導體器件和二者的形成方法

有效

• 申請號: 201010175815.5
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號: CN102244031A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 鐘匯才;梁擎擎
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8234;H01L21/28;H01L23/532
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 馬佑平

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體來說，涉及一種接觸孔、半導體器件和二者的形成方法。

背景技術

隨著半導體器件臨界尺寸的逐漸減小，各種微觀效應開始顯現，半導體器件的制造工藝變得越來越復雜，優化半導體器件的性能也越來越困難。復雜的制造工藝需要更多的掩模版及多步光刻工藝，而如何改進接觸孔的制造工藝成為優化半導體器件性能時頗具挑戰性和實際意義的研究方向。

具體地，現有的接觸孔的形成方法包括：如圖1所示，在襯底10上形成柵極14和側墻16，所述柵極14經由柵介質層12形成于所述襯底10上，所述側墻16覆蓋所述柵極14中相對的側面，繼而形成源漏區(圖未示)和硅化物接觸區18；如圖2所示，形成層間介質層20，并使所述層間介質層20暴露所述柵極14和側墻16；如圖3所示，利用掩模，刻蝕所述層間介質層20，以形成所述接觸孔30。

可見，在利用上述方法刻蝕所述層間介質層20，以形成所述接觸孔30時，必然需要一道掩模，但是，隨著接觸孔30尺寸的減小，應用所述掩模未必會獲得滿足工藝要求的接觸孔30，即，此道掩模未必會實現其應有的效用，因此，如何去除此道掩模而形成接觸孔成為本發明解決的主要問題。

發明內容

為了解決上述問題，本發明提供了一種接觸孔及所述接觸孔的形成方法，利于減少在形成所述接觸孔的過程中應用掩模的數目；本發明還提供了一種半導體器件及所述半導體器件的形成方法，在形成所述半導體器件的過程中應用掩模的數目有所減少。

本發明提供的一種接觸孔的形成方法，包括：

在襯底上形成柵極、側墻、犧牲側墻、源區和漏區，所述側墻環繞所述柵極，所述犧牲側墻覆蓋所述側墻，所述源區和漏區嵌于所述襯底內并位于所述柵極的兩側；

形成層間介質層，并使所述層間介質層暴露所述柵極、側墻和犧牲側墻；

去除所述犧牲側墻，以形成接觸空間，所述犧牲側墻材料與所述柵極、側墻和層間介質層的材料不同；

形成導電層，所述導電層填充所述接觸空間；

斷開所述導電層，以形成至少兩個導電體，各所述導電體分別接于所述源區或漏區。

可選地，在形成所述犧牲側墻和層間介質層的步驟之間，還包括：

形成輔助側墻，所述輔助側墻覆蓋所述犧牲側墻的側面，所述輔助側墻材料與所述犧牲側墻和層間介質層的材料不同。

可選地，所述側墻包括側墻基層和主側墻，所述主側墻材料與所述犧牲側墻材料不同，在所述主側墻和所述柵極的側面之間夾有所述側墻基層時，在形成所述導電層后，所述方法還包括：

去除所述主側墻，以形成調整空間；

形成介質層，所述介質層填充所述調整空間。

可選地，所述輔助側墻材料與所述主側墻材料相同。

本發明提供的一種接觸孔的形成方法，包括：

在襯底上形成沿第一方向延伸的柵極基體、側墻和犧牲側墻，所述側墻覆蓋所述柵極基體中相對的側面，所述犧牲側墻覆蓋所述側墻；

形成層間介質層，并使所述層間介質層暴露所述柵極基體、側墻和犧牲側墻；

去除所述犧牲側墻，以形成接觸空間，所述犧牲側墻材料與所述柵極基體、側墻和層間介質層的材料不同；

形成導電層，所述導電層填充所述接觸空間；

利用所述柵極基體形成柵極，并沿第二方向切割所述柵極和所述導電層，所述第二方向異于所述第一方向。

可選地，在形成所述犧牲側墻和層間介質層的步驟之間，還包括：

形成輔助側墻，所述輔助側墻覆蓋所述犧牲側墻的側面，所述輔助側墻材料與所述犧牲側墻和層間介質層的材料不同。

可選地，所述側墻包括側墻基層和主側墻，所述主側墻材料與所述犧牲側墻材料不同，在所述主側墻和所述柵極的側面之間夾有所述側墻基層時，在形成所述導電層后，所述方法還包括：

去除所述主側墻，以形成調整空間；

形成介質層，所述介質層填充所述調整空間。

可選地，所述輔助側墻材料與所述主側墻材料相同。

本發明提供的一種半導體器件的形成方法，包括：

在襯底上形成柵極和側墻；

在形成有柵極和側墻的所述襯底上形成接觸孔；

采用上述的方法形成所述接觸孔。

本發明提供的一種接觸孔，所述接觸孔和柵極、側墻均形成于襯底上并嵌入層間介質層中，所述接觸孔的側面接于所述側墻。