[發明專利]一種接觸孔、半導體器件和二者的形成方法

有效

• 申請號: 201010175815.5
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號: CN102244031A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 鐘匯才;梁擎擎
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8234;H01L21/28;H01L23/532
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 馬佑平

1.一種接觸孔的形成方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成柵極、側墻、犧牲側墻、源區和漏區，所述側墻環繞所述柵極，所述犧牲側墻覆蓋所述側墻，所述源區和漏區嵌于所述襯底內并位于所述柵極的兩側；

形成層間介質層，并使所述層間介質層暴露所述柵極、側墻和犧牲側墻；

去除所述犧牲側墻，以形成接觸空間，所述犧牲側墻材料與所述柵極、側墻和層間介質層的材料不同；

形成導電層，所述導電層填充所述接觸空間；

斷開所述導電層，以形成至少兩個導電體，各所述導電體分別接于所述源區或漏區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述犧牲側墻和層間介質層的步驟之間，還包括：

形成輔助側墻，所述輔助側墻覆蓋所述犧牲側墻的側面，所述輔助側墻材料與所述犧牲側墻和層間介質層的材料不同。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述側墻包括側墻基層和主側墻，所述主側墻材料與所述犧牲側墻材料不同，在所述主側墻和所述柵極的側面之間夾有所述側墻基層時，在形成所述導電層后，所述方法還包括：

去除所述主側墻，以形成調整空間；

形成介質層，所述介質層填充所述調整空間。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述輔助側墻材料與所述主側墻材料相同。

5.一種接觸孔的形成方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成沿第一方向延伸的柵極基體、側墻和犧牲側墻，所述側墻覆蓋所述柵極基體中相對的側面，所述犧牲側墻覆蓋所述側墻；

形成層間介質層，并使所述層間介質層暴露所述柵極基體、側墻和犧牲側墻；

去除所述犧牲側墻，以形成接觸空間，所述犧牲側墻材料與所述柵極基體、側墻和層間介質層的材料不同；

形成導電層，所述導電層填充所述接觸空間；

利用所述柵極基體形成柵極，并沿第二方向切割所述柵極和所述導電層，所述第二方向異于所述第一方向。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述犧牲側墻和層間介質層的步驟之間，還包括：

形成輔助側墻，所述輔助側墻覆蓋所述犧牲側墻的側面，所述輔助側墻材料與所述犧牲側墻和層間介質層的材料不同。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述側墻包括側墻基層和主側墻，所述主側墻材料與所述犧牲側墻材料不同，在所述主側墻和所述柵極的側面之間夾有所述側墻基層時，在形成所述導電層后，所述方法還包括：

去除所述主側墻，以形成調整空間；

形成介質層，所述介質層填充所述調整空間。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：所述輔助側墻材料與所述主側墻材料相同。

9.一種半導體器件的形成方法，包括：

在襯底上形成柵極和側墻；

在形成有柵極和側墻的所述襯底上形成接觸孔；

其特征在于：采用如權利要求1至8所述的方法形成所述接觸孔。

10.一種接觸孔，所述接觸孔和柵極、側墻均形成于襯底上并嵌入層間介質層中，其特征在于：所述接觸孔的側面接于所述側墻。

11.根據權利要求10所述的接觸孔，其特征在于：在所述層間介質層中嵌有輔助側墻時，所述輔助側墻材料與所述層間介質層的材料不同，所述接觸孔中與和所述側墻相接的側面相對的側面接于所述輔助側墻。

12.根據權利要求10或11所述的接觸孔，其特征在于：在所述側墻包括側墻基層和主側墻時，所述側墻基層夾于所述主側墻和所述柵極之間，所述主側墻的材料與所述側墻基層的材料不同，而與所述層間介質層的材料相同。

13.一種半導體器件，其特征在于：所述半導體器件包括權利要求10至12所述的接觸孔。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其特征在于：所述柵極包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，且所述第二部分的材料與所述接觸孔的材料相同。