[發明專利]基板的制造方法有效
| 申請號: | 201010174856.2 | 申請日: | 2010-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN101908491A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發明(設計)人: | 片岡祐治 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H05K3/28 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 馮雅;胡燁 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及在單層、多層的基板層或陶瓷的基板層等各種基板層的主面上形成密封用的樹脂層而構成的基板的制造方法。
背景技術
以往在制造這種基板時,為了防止形成密封用樹脂層時的樹脂的垂掛(以下稱作“樹脂垂掛”),提出了使用圍堰材料(ダム材)的技術方案(例如參照專利文獻1(說明書摘要,段落[0007]、[0011]-[0030],圖1、圖6等))。
圖6(a)、圖6(b)是通過上述方案的制造方法制成的現有的這種基板100的一例的俯視圖、剖視圖,基板100中,沿作為基底的基板層101的外周部形成有圍堰材料(圍堰部)102,在圍堰材料102的外側殘留有基板層101的周緣部101a。在基板層101的被圍堰材料102包圍的內側的區域內隔開間隔配置有多個電子元器件200,在所述內側的區域內填充密封用的熱固性樹脂并使其固化,從而通過樹脂層300將電子元器件200密封。此時,通過使用圍堰材料102,可實現基板層101的外周部的“樹脂垂掛”的消除。另外,在使樹脂層300熱固化后,在樹脂層300的表面對每個電子元器件200印刷例如規定的標記物。然后,將形成有樹脂層300的基板100切割成具有單個電子元器件的子基板,進行單片化。
圖7是不使用圍堰材料102而制成的基板100的剖視圖,如果不使用圍堰材料102,則樹脂層300在基板層101的周緣部101a處形成截面形狀呈拋物線狀(弧形)垂掛的形狀,形成“樹脂垂掛”。
專利文獻1:日本專利特開平11-67799號公報
發明內容
所述基板100的制造方法中,為確實防止“樹脂垂掛”,實際上如圖8的剖視圖所示,需要將圍堰材料102形成為高于樹脂層300,利用圍堰材料102來堵住所填充的未固化的熱固性樹脂,從而使樹脂層300的上表面平坦。尤其是近年要求元器件的進一步小型化等,有將電子元器件200配置在基板層101的周端緣部附近的趨勢,因此,在圍堰材料102的高度不足、外周部發生輕微的“樹脂垂掛”的情況下,基板層101的外周部附近的電子元器件200可能會從樹脂層300露出而發生樹脂密封不良。為此,要求將圍堰材料102形成為必須高于樹脂層300。
但是,如果將圍堰材料102形成為高于樹脂層300,則圍堰材料102與樹脂層300相比朝上方突出,所以在后續(形成圍堰材料后)的切割工序中會對圍堰材料102造成不良影響。具體而言,在將基板100單片化成子基板或將包括圍堰材料102的基板層101的外周部的不需要的“耳”的部分切掉的基板100的切割工序中,如果欲從基板層101的背面(下表面)側插入刀片來切割基板100,則基板層101的正面側因圍堰材料102的突出而不平坦,因此會發生無法將基板100穩定地固定來進行切割的情況。此外,如果欲從基板層101的正面側(上表面)側、即樹脂層300側插入刀片來切割基板100,則圍堰材料102的朝上方突出的部分會成為更深地插入刀片時的阻礙。
本發明的目的是提供在基板層主面的圍堰材料的內側填充樹脂并使其固化而形成密封用樹脂層的基板的制造方法,在填充樹脂而形成密封用樹脂層的基板的制造方法中,使圍堰材料不會對后續的工序等造成不良影響。
為達到上述目的,本發明的基板的制造方法的特征在于,包括:圍堰材料形成工序,在該圍堰材料形成工序中,沿基板層的主面的外周部配置圍堰材料;樹脂層形成工序,在該樹脂層形成工序中,在所述基板層的主面的被所述圍堰材料包圍的內側的區域內以所述圍堰材料的高度以下的厚度填充樹脂,使其固化,從而形成密封用的樹脂層;圍堰材料除去工序,在該圍堰材料除去工序中,在形成所述樹脂層后將所述圍堰材料除去;以及切割工序,在該切割工序中,在除去所述圍堰材料后切割所述基板層和所述樹脂層;所述圍堰材料由能從所述基板層和樹脂層除去的材料形成(權利要求1)。
此外,本發明的基板的制造方法的特征在于,所述圍堰材料由乙烯類樹脂形成,通過所述圍堰材料除去工序將所述圍堰材料從所述基板層和所述樹脂層剝離除去(權利要求2)。
另外,本發明的基板的制造方法的特征在于,所述基板層的主面的外周部具有標記物,在所述圍堰材料形成工序中,將所述圍堰材料形成于所述標記物上(權利要求3)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





