[發(fā)明專(zhuān)利]用于制造薄膜光伏系統(tǒng)的方法以及薄膜光伏系統(tǒng)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010174104.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-02-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101834231A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D·奧斯特曼 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 齊倫投資專(zhuān)利II兩合公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/18;H01L31/048;H01L31/0264 |
| 代理公司: | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 過(guò)曉東 |
| 地址: | 德國(guó)舍*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 薄膜 系統(tǒng) 方法 以及 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于制造薄膜光伏系統(tǒng)的方法、薄膜光伏系統(tǒng)及其應(yīng)用,尤其是在將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿墓夥K中的應(yīng)用。
背景技術(shù)
DE?102004012303B3公開(kāi)了一種以光電化學(xué)法生產(chǎn)氫氣的反應(yīng)電池。所述技術(shù)方案采用了一種裝有水性電解質(zhì)的外殼,其中安裝有由經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體材料如TiO2或SrTiO3組成的第一電極以及由貴金屬或半貴金屬或者由相對(duì)于第一電極相反地?fù)诫s的半導(dǎo)體組成的第二電極。這兩個(gè)電極相互導(dǎo)電相連,并且在工作過(guò)程中被光源照射。這些電極以如下方式布置,使得反應(yīng)電池被分為兩個(gè)以相互離子傳導(dǎo)的方式連接的腔室。通過(guò)排氣口排出反應(yīng)腔室內(nèi)形成的氫氣。
此外EP?1232530B1還描述了一種用于探測(cè)紫外輻射的半導(dǎo)體器件。在此,所述半導(dǎo)體作為基材,具有金屬硫族化合物半導(dǎo)體材料作為紫外輻射的光學(xué)吸收材料,其中所述半導(dǎo)體與金屬形成肖特基觸點(diǎn)。如此具有納米晶體金屬硫族化合物半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體一方面與電接觸層或者與金屬基材導(dǎo)電相連,另一方面與至少部分透過(guò)紫外輻射的金屬層導(dǎo)電相連。
WO?2009/0112397A2描述了另一種由金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(TiO2)和金屬層構(gòu)成的光伏系統(tǒng)。所述發(fā)明的核心是表面納米結(jié)構(gòu)化的銀層,其中在可見(jiàn)光入射時(shí)誘導(dǎo)等離子體共振。但實(shí)際研究結(jié)果表明,該等離子體共振并不有助于分離載流子,因?yàn)樵撜T發(fā)振動(dòng)的延伸平行且不垂直于在銀層與TiO2層之間的肖特基勢(shì)壘范圍。此外只有在精確調(diào)整入射光的入射角的情況下才實(shí)現(xiàn)等離子體共振。
發(fā)明內(nèi)容
由已知的現(xiàn)有技術(shù)出發(fā),本發(fā)明的目的在于,提供一種比較簡(jiǎn)單且成本低廉的、適用于太陽(yáng)能電池的薄膜光伏系統(tǒng)的生產(chǎn)方法。目的是可以盡可能高效且成本低廉的方式生產(chǎn)大面積光伏模塊。
前述目的是通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的用于生產(chǎn)薄膜光伏系統(tǒng)的方法以如下方式實(shí)現(xiàn)的,通過(guò)將含有直徑為約3nm至約30nm的納米級(jí)顆粒的分散體施加到透明基材上而制成金屬硫族化合物半導(dǎo)體層,其中施加到基材上的金屬硫族化合物半導(dǎo)體層的層厚度為約150nm至約2000nm。
因此,本發(fā)明的特征在于,對(duì)由現(xiàn)有技術(shù)已知的層結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),并且將其適當(dāng)?shù)卣显谏a(chǎn)太陽(yáng)能模塊的已知技術(shù)方案中。
該方法比較容易實(shí)施,并且可以成本低廉地生產(chǎn)即使大面積的光伏模塊。通過(guò)選擇成本比較低廉的材料,如鈀(替代鉑),還可進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。
下面依據(jù)附圖中所示的實(shí)施例更詳細(xì)地闡述本發(fā)明,但是并不限制本發(fā)明的一般思想。
附圖說(shuō)明
圖1所示為基于單電池的薄膜光伏系統(tǒng)的俯視圖,包括光敏區(qū)、TCO(transparent?conductive?oxide/透明導(dǎo)電氧化物)端子以及金屬肖特基接觸端子;
圖2所示為圖1所示的薄膜光伏系統(tǒng)的橫截面示意圖;
圖3所示為具有三個(gè)串聯(lián)的單電池的薄膜光伏多電池的橫截面示意圖;
圖4所示為串聯(lián)的薄膜光伏系統(tǒng)的俯視圖;
圖5所示為串聯(lián)和并聯(lián)的薄膜光伏系統(tǒng)的俯視圖;
圖6所示為具有旁路二極管的串聯(lián)和并聯(lián)的薄膜光伏系統(tǒng)的俯視圖;
圖7所示為薄膜光伏雙電池的橫截面示意圖;
圖8所示為在具有膠粘復(fù)合膜的層疊復(fù)合物的實(shí)施方案中的薄膜光伏排列方式的橫截面示意圖;
圖9所示為在具有背面玻璃板的隔絕玻璃復(fù)合物中的薄膜光伏排列方式的橫截面示意圖;
圖10所示為具有TCO涂層的玻璃基材(Pilkington的Tec-Glass)上典型為150nm的平面摻雜的TiO2層以及層厚度為20nm的薄的鉑-肖特基電極的電流-電壓特性曲線。
具體實(shí)施方式
圖1所示為基于單電池的簡(jiǎn)單的薄膜光伏系統(tǒng)1的俯視圖,包括光敏區(qū)3和TCO(透明導(dǎo)電氧化物)端子4以及金屬肖特基觸點(diǎn)5。
若選擇具有薄的鉑-肖特基電極的n-摻雜的TiO2作為半導(dǎo)體材料,則以此方式可以在端子4、5上實(shí)現(xiàn)約為0.4V的電壓。此類(lèi)單電池在典型效率為3至12%的情況下不適合于大面積尺寸規(guī)格,因?yàn)槌R?guī)的TCO層(ITO(銦錫氧化物)、ATO(銻錫氧化物)、FTO(氟摻雜的錫氧化物)、ZnO(氧化鋅)、由金組成的半透明金屬薄膜、基于單壁碳納米管的薄膜或者銀絲薄膜)具有比較高的表面電阻率,并且僅當(dāng)對(duì)日光的透射率同時(shí)更小時(shí)才達(dá)到低于10Ω/m2的值。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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