[發(fā)明專利]用于制造薄膜光伏系統(tǒng)的方法以及薄膜光伏系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010174104.6 | 申請日: | 2010-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN101834231A | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | D·奧斯特曼 | 申請(專利權(quán))人: | 齊倫投資專利II兩合公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/048;H01L31/0264 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 過曉東 |
| 地址: | 德國舍*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 薄膜 系統(tǒng) 方法 以及 | ||
1.用于制造薄膜光伏系統(tǒng)(2)的方法,該系統(tǒng)具有作為陽光吸收體的平面金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)以及施加在所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層上的金屬層(8),其中所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)和所述金屬層(8)在其接觸面上形成肖特基觸點,其特征在于,所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)是通過將含有直徑為約3nm至約30nm的納米級顆粒的分散體施加到透明基材(12)上而制成的,其中施加到基材上的所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)的層厚度為約150nm至約2500nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其特征在于,施加在基材上的所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)的層厚度為約500nm至約1000nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法,其特征在于,所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)是通過刮涂、輥涂、簾涂、印刷或噴涂法施加在基材(12)上的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一的方法,其特征在于,使用選自TiO2、SrTiO3、Cu2S、ZnO、WO3、CdS、MoS2、CdSeS、SnO2、Pb3O4、CdSe,尤其是TiO2的半導(dǎo)體材料作為金屬硫族化合物半導(dǎo)體(7)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一的方法,其特征在于,所述金屬層(8)由選自Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Ni、Mo、Pb、Ta、W,尤其是Pt、Pd、Au或Ni的金屬形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一的方法,其特征在于,施加在所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)上的所述金屬層(8)的厚度為約10nm至約20nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一的方法,其特征在于,所述金屬層(8)在其遠(yuǎn)離所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)的一側(cè)上施加增強的第二金屬層(9),其中選擇該增強的第二金屬層(9)的材料,使得在所述金屬層(8)與所述增強的第二金屬層(9)之間形成歐姆接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的方法,其特征在于,所述透明基材(12)是玻璃基材,尤其是作為鋼化安全玻璃的鋼化浮法玻璃或非鋼化浮法玻璃,其中所述透明基材(12)在待涂覆所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)的一側(cè)上優(yōu)選具有半透明或透明的導(dǎo)電層(6),尤其是TCO層,特別優(yōu)選為FTO層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8之一的方法,其特征在于,將多個薄膜光伏系統(tǒng)以模塊的方式彼此相鄰地施加在同一個透明基材(12)上,其中優(yōu)選通過對均一地施加在基材(12)上的薄膜光伏系統(tǒng)進(jìn)行結(jié)構(gòu)化處理而形成多個薄膜光伏系統(tǒng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其特征在于,將多個薄膜光伏系統(tǒng)以矩陣的方式施加在同一個基材(12)上,其中所述薄膜光伏系統(tǒng)按行串聯(lián)連接,并且按列平行連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10之一的方法,其特征在于,在同一個基材(12)上彼此上下地作為層疊物(27)形成多個薄膜光伏系統(tǒng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11之一的方法,其特征在于,利用膠粘復(fù)合膜(38)和背面基材(39)將一個薄膜光伏系統(tǒng)或多個薄膜光伏系統(tǒng)層疊成為一個單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求12和8的方法,其特征在于,所述背面基材(39)是由浮法玻璃(非鋼化)或部分鋼化的浮法玻璃(TVG)或鋼化安全玻璃(ESG)構(gòu)成的玻璃基材,并利用熱壓法將其與載有所述金屬硫族化合物半導(dǎo)體層(7)的玻璃基材(12)一起制成復(fù)合安全玻璃(VSG)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法,其特征在于,所述背面基材(39)由包括PVF薄膜和PET薄膜的聚合物夾心膜構(gòu)成,其中將鋁箔嵌入這兩層薄膜之間作為水蒸汽阻隔層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14之一的方法,其特征在于,將一個薄膜光伏系統(tǒng)(2)或多個薄膜光伏系統(tǒng)設(shè)置在隔絕玻璃復(fù)合物的內(nèi)部,尤其是在太陽一側(cè)玻璃板的內(nèi)側(cè)上。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15之一的方法制得的薄膜光伏系統(tǒng)(2)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的薄膜光伏系統(tǒng)(2)在建筑物幕墻中、在屋頂中、作為護(hù)墻構(gòu)件、作為遮篷或者獨立方式的用途。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





