[發明專利]一種提高電感器襯底電阻的方法

無效

• 申請號: 201010172771.0
• 申請日: 2010-05-12
• 公開（公告）號: CN101834156A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 黎坡;彭樹根
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70;H01L21/324
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種提高電感器襯底電阻的方法，包括如下步驟：(1)提供一高阻值半導體襯底；(2)在所述高阻值半導體襯底上沉積一層絕緣層；(3)在所述絕緣層上制作電感器主體；(4)在所述電感主體上沉積鈍化層，并對所述鈍化層進行刻蝕，形成電感通孔；其特征在于，該方法在步驟(4)后還包括步驟(5)對所述電感器進行熱處理。

2.如權利要求1所述的提高電感器襯底電阻的方法，其特征在于，所述高阻值半導體襯底的電阻率大于1000ohm.cm。

3.如權利要求1所述的提高電感器襯底電阻的方法，其特征在于，所述絕緣層為二氧化硅。

4.如權利要求1所述的提高電感器襯底電阻的方法，其特征在于，所述熱處理的溫度范圍為300℃～600℃。

5.如權利要求4所述的提高電感器襯底電阻的方法，其特征在于，所述熱處理的時間為1分鐘～3小時。