[發(fā)明專利]應(yīng)用于超薄晶片背面處理工藝的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010170724.2
• 申請(qǐng)日: 2008-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN101850532A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮濤;孫明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 萬國半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): B24B7/22
• 分類號(hào): B24B7/22;B24B41/06;B28D5/00
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 徐雯瓊;姜玉芳

1.一種應(yīng)用于超薄晶片背面處理工藝的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

將晶片作半切割；

將半切割后的晶片轉(zhuǎn)移到包括環(huán)和帶的支撐結(jié)構(gòu)上；

研磨晶片背面以分離芯片；和

處理芯片的背面。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括在晶片背面處理工藝之后拾取芯片。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括將處理后的芯片器件正面朝上地轉(zhuǎn)移到分離帶上并且拾取芯片。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述晶片背面處理工藝包括從由離子注入，退火，刻蝕，濺射和蒸發(fā)組成的組合中選擇的處理工藝。

5.一種應(yīng)用于超薄晶片背面處理工藝的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

將晶片作半切割；

研磨晶片背面以分離芯片；

將多個(gè)芯片轉(zhuǎn)移到包括環(huán)和帶的支撐結(jié)構(gòu)上；和

處理芯片背面。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括在晶片背面處理工藝步驟之后拾取芯片。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括將處理后的芯片器件正面朝上地轉(zhuǎn)移到分離帶上并且拾取芯片。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述晶片背面處理工藝包括從由離子注入，退火，刻蝕，濺射和蒸發(fā)組成的組合中選擇的處理工藝。

9.一種在芯片的側(cè)壁上淀積金屬的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

將多個(gè)芯片安裝到包括環(huán)和帶的支撐結(jié)構(gòu)上；

將金屬淀積到該多個(gè)芯片的背面和側(cè)壁上。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中所述多個(gè)芯片在所述支撐結(jié)構(gòu)上實(shí)施研磨方法之前通過切割而形成。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中所述多個(gè)芯片在所述帶上實(shí)施研磨方法之前通過切割而形成，所述帶隨后被安裝到環(huán)上以形成支撐結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中晶片在分離帶上被分離為多個(gè)芯片之后，所述多個(gè)芯片被安裝到帶上并且該帶被安裝到環(huán)上以形成支撐結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括在安裝到環(huán)上的步驟之前延展黏附有芯片的帶。

14.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括在淀積步驟期間將所述帶夾持到具有曲面的結(jié)構(gòu)上。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述帶被夾持，使所述多個(gè)芯片被設(shè)置在所述結(jié)構(gòu)的凸表面上。

16.一種通過如權(quán)利要求9所述的方法形成的在背面和側(cè)壁上帶有金屬的芯片。