[發明專利]應用于超薄晶片背面處理工藝的方法

有效

• 申請號: 201010170724.2
• 申請日: 2008-02-26
• 公開（公告）號: CN101850532A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 馮濤;孫明
• 申請（專利權）人: 萬國半導體有限公司
• 主分類號: B24B7/22
• 分類號: B24B7/22;B24B41/06;B28D5/00
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 徐雯瓊;姜玉芳

本案是分案申請

原案發明名稱：應用于超薄晶片背面處理工藝的方法和裝置

原案申請號：200810082659.0

原案申請日：2008年2月26日

技術領域

本發明涉及晶片處理工藝，更具體地涉及應用于超薄晶片背面處理工藝的方法。

背景技術

幾個因素正在驅動芯片朝尺寸小于4密耳(mil)的更薄趨勢發展。這樣的超薄芯片通常導致更低的襯底電阻，允許芯片的堆疊滿足封裝的厚度要求，以及在高電壓應用時避免昂貴的厚外延層。

常規上，臨時的支撐襯底或載體通常能通過粘性層粘附到器件晶片的正面以便于晶片背面的研磨，以及后繼的薄晶片處理和背面處理。所述載體可以是虛擬的硅晶片，玻璃晶片，聚合物或聚合物基復合襯底或者厚帶。剛性載體有助于在處理和制造工藝期間減小晶片翹曲和防止晶片破損。但是，載體的去除通常涉及復雜的操作，因此導致產量降低同時仍存在晶片破損的風險。

采用另一種方法，一個剛性的邊緣環形成在薄晶片的外圍以便于薄晶片的處理和制造工藝。該環的獲得可以通過在晶片背面的刻蝕或機械研磨的同時不觸及晶片的外圍，或者通過在薄晶片的外圍黏附一個輔助環。但是，該方法在晶片減薄和/或邊緣環去除期間同樣存在產量降低的缺點，并且還具有有效面積減少(因為一部分晶片面積被用于所述外圍圓周區域)的缺點。

發明內容

本發明的目的在于提供一種應用于超薄晶片背面處理工藝的方法，其能在提高產量同時降低晶片破損的風險；本方法還提供2至4mil厚度的薄晶片，并且成本低廉；進一步，本方法還提供高晶片面積使用率。

根據本發明的一個方面，應用于超薄晶片背面處理工藝的方法包括以下步驟：將環和晶片安裝到高溫研磨和切割帶上，晶片正面黏附到該帶上；研磨晶片背面；諸如離子注入，退火，刻蝕和金屬化的晶片背面處理工藝；然后是晶片切割。

根據本發明的另一個方面，應用于晶片背面處理工藝的支撐結構包括環和由該環支撐的帶，以及能黏附到該帶上的所述環內的晶片。

根據本發明的又一個方面，應用于超薄晶片背面處理工藝的方法包括以下步驟：將晶片作半切割；將半切割后的晶片轉移到由環支撐的帶上；背面研磨晶片從而分離芯片；然后是諸如離子注入，退火，刻蝕和金屬化的背面處理工藝。

根據本發明的又一個方面，在芯片的側壁淀積金屬的方法包括以下步驟；在由環支撐的帶上形成或安裝多個芯片；和將金屬淀積到多個芯片的背面和側壁上。

為了下文對本發明的詳細描述能夠被更好地理解，還為了本發明對本技術領域的貢獻能夠被更好地評估，上文概括并寬泛地說明了本發明的較重要的特征。當然，下文還將敘述本發明的其他特征，這些其他特征也將形成本文附后的權利要求的主題內容。

有關這一方面，在對本發明的至少一個實施例進行詳細解釋之前應該理解的是，本發明在其應用中不局限于下文闡明的或附圖圖示的功能性元件的具體細節和這些元件的配置。本發明可以有其他的實施例并且可以用多種方式實施和進行。還應該理解的是，本文和摘要中使用的措辭和術語是為了描述的目的而不應被認為是對本發明的限制。

同樣，本技術領域的熟練人員將理解，本發明所基于的概念也能容易地被用作實行本發明的多個目的的其他方法和系統的設計基礎。因此，最重要的是，權利要求被認為包括所有這樣的未背離本發明的精神和范圍的等效結構。

附圖說明

圖1是根據本發明的用于超薄晶片背面處理工藝的裝置的頂視平面圖；

圖2是圖1所示裝置的側視圖；

圖3是根據本發明的用于超薄晶片背面處理工藝的方法的流程圖；

圖4是根據本發明的用于超薄晶片背面處理工藝的另一種方法的流程圖；

圖5是根據本發明的安裝到帶上的具有金屬化的背面和側壁的芯片的示意圖；

圖6是根據本發明的具有金屬化的背面和側壁的芯片的示意圖；

圖7是具有安裝在其上的圖1的裝置的形式的示意圖；

圖8是顯示根據本發明的倒裝到印刷電路板上的圖6的芯片的示意圖；

圖9是顯示根據本發明的安裝到印刷電路板上以及焊料回流后的圖6的芯片的示意圖。

具體實施方式