[發明專利]用于制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201010169713.2
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN102054704A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 金煜;李相晤
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 魏金霞;田軍鋒

1.一種用于制造半導體裝置的方法，所述方法包括：

使用硬掩模層作為阻障層來蝕刻半導體基片以形成限定出多個有源區域的溝槽；

形成間隙填充層以對所述溝槽的內側的一部分進行間隙填充，從而使所述硬掩模層成為突起；

形成覆蓋所述突起的兩側的間隔壁；

使用摻雜的蝕刻阻障層作為蝕刻阻障層來移除所述間隔壁中的一個；且

使用剩余的間隔壁作為蝕刻阻障層來蝕刻所述間隙填充層，以形成暴露出所述有源區域的一側的側溝槽。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述摻雜的蝕刻阻障層包括摻雜的多晶硅層。

3.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述摻雜的蝕刻阻障層以在整個無摻雜的多晶硅層沉積工藝、傾斜的離子植入工藝及濕式蝕刻工藝期間覆蓋所述間隔壁中的一個。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述傾斜的離子植入工藝使用硼(B)作為摻雜劑。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述形成所述間隔壁包括：

在形成所述間隙填充層后，在帶有所述突起的所得到的結構上方形成絕緣層；及

通過間隔壁蝕刻工藝蝕刻所述絕緣層以在所述突起的兩側上形成所述間隔壁。

6.如權利要求5所述的方法，其中，所述絕緣層包括氧化物層。

7.如權利要求6所述的方法，其中，在處于約室溫到約400℃的范圍內的溫度下沉積所述氧化物層。

8.如權利要求6所述的方法，其中，使用化學氣相沉積(CVD)工藝或原子層沉積(ALD)工藝來沉積所述氧化物層。

9.如權利要求5所述的方法，其中，使用碳酰氟氣體及氧氣作為主要氣體來執行所述間隔壁蝕刻工藝。

10.如權利要求9所述的方法，其中，使用N₂、COS、SO₂、CO及Ar中的一種作為附加氣體來執行所述間隔壁蝕刻工藝。

11.如權利要求5所述的方法，所述方法進一步包括在所述間隔壁蝕刻工藝后執行用于移除殘留物的濕法清洗工藝。

12.如權利要求11所述的方法，其中，使用NH₄OH、H₂SO₄及H₂O₂中的一種來執行所述濕法清洗工藝。

13.如權利要求1所述的方法，所述方法進一步包括在形成所述間隔壁前，在形成所述間隙填充層后，在帶有所述突起的合成出來的結構上方形成內襯氮化物層。

14.如權利要求1所述的方法，所述方法進一步包括在蝕刻所述間隙填充層后：

在所述有源區域由所述側溝槽暴露出的一側上形成觸點區域開口；

形成埋置在所述觸點區域中的側觸點；及

形成連接至所述側觸點且填充所述側溝槽的一部分的埋置位線。