[發明專利]一種N型純Si摻雜熱電材料中的孔洞制備方法

無效

• 申請號: 201010169263.7
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN101840990A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 何琴玉;李煒;王銀珍;曾葆清;王文忠;胡社軍;張建中;朱詩亮
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L35/34
• 分類號: H01L35/34
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 林麗明

1.一種N型純Si摻雜熱電材料中的孔洞制備方法，其特征在于包括有如下步驟：

1)用高能球磨機將Si和摻入的1.0％～3.0％GaP按照比例混合，同時在球磨0～10小時后加入0.1％～1.5％摩爾比例的Sb以及0.5％～1.5％P；

2)在Si共球磨33小時～小時后用直流快速熱壓機壓制樣品，升溫速度為300℃/min；開始時壓力為50MP，在800℃時停30S，同時加壓至500MP，升溫至1050℃后保溫2mins，然后迅速停止加溫，撤出壓力，空氣冷卻至室溫；

3)將步驟1)2)制備出的樣品在馬弗爐中以100℃/小時的速度升溫至950℃～1100℃，保溫30mins取出樣品至空氣中空冷至室溫，即可得到有一定孔洞體積比在0.499％～2.85％范圍和孔洞尺寸分布在30nm～300nm范圍的樣品。

2.根據權利要求1所述的N型純Si摻雜熱電材料中的孔洞制備方法，其特征在于上述步驟2)球磨33小時后用直流快速熱壓機壓制樣品，升溫速度為300℃/min；開始時壓力為50MP，在800℃時停30S，同時加壓至500MP，升溫至1050℃后保溫2mins。

3.根據權利要求1所述的所述的N型純Si摻雜熱電材料中的孔洞制備方法，其特征在于上述步驟3)將步驟1)、步驟2)制備出的樣品在馬弗爐中以100℃/小時的速度升溫至950℃～1100℃，保溫30mins取出樣品至空氣中空冷至室溫，即可得到有一定孔洞體積比在0.499％～2.85％范圍和孔洞尺寸分布在30nm～300nm范圍的樣品。