[發明專利]有機發光二極管顯示器的像素結構及其制作方法有效
| 申請號: | 201010167036.0 | 申請日: | 2010-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN101847654A | 公開(公告)日: | 2010-09-29 |
| 發明(設計)人: | 謝信弘 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 樊一槿 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 像素 結構 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明是關于一種有機發光二極管顯示器的像素結構及其制作方法,尤指一種具有不同電流與電壓特性的二晶體管的有機發光二極管顯示器的像素結構及其制作方法。
背景技術
近年來,有機發光二極管顯示器(organic?light-emitting?diode?display,OLED?display)已漸漸成為熱門的新興平面顯示器,由于具有自發光、廣視角、反應時間快、高發光效率、低操作電壓、面板厚度薄、可制作成可撓曲性面板以及制程簡單等優點,因此已廣泛地應用于各種平面顯示產品上。
有機發光二極管顯示器的像素結構主要包括一有機發光二極管、驅動晶體管以及尋址晶體管。驅動晶體管電性連接至有機發光二極管,以驅動有機發光二極管,而尋址晶體管電性連接至驅動晶體管,以控制驅動晶體管的開關。一般而言,在制作有機發光二極管顯示器的過程中,驅動晶體管與尋址晶體管是利用同一制程來制作,使得驅動晶體管與尋址晶體管具有相同的電流與電壓特性,因此驅動晶體管與尋址晶體管具有相同的次臨界斜率(subthreshold?slope)。
然而,當驅動晶體管與尋址晶體管都具有相同的次臨界斜率時,尋址晶體管無法迅速開關驅動晶體管,而造成有機發光二極管顯示器產生殘影,或者驅動晶體管無法提供具有線性變化的電流至有機發光二極管,造成有機發光二極管無法呈現出多種不同灰階的亮度變化。因此,制作出具有不同電流與電壓特性的尋址晶體管與驅動晶體管實為業界努力的目標。
發明內容
本發明的目的之一在于提供一種有機發光二極管顯示器的像素結構,以具有不同電流與電壓特性的驅動晶體管與尋址晶體管。
為達到上述的目的,本發明提供一種有機發光二極管顯示器的像素結構。像素結構包括一基板、一設于基板上的第一晶體管、一設于基板上的第二晶體管以及一覆蓋部份第一晶體管與第二晶體管的第一圖案化保護層。第一晶體管包括一第一柵極、一覆蓋于第一柵極與基板上的絕緣層、一設于絕緣層上的第一漏極、一設于絕緣層上的第一源極以及一設于第一漏極與第一源極間的絕緣層上的第一通道層。當第一晶體管的第一漏極與第一源極間具有一電壓差時,第一晶體管具有一第一次臨界斜率(subthreshold?slope)。第二晶體管包括一設于絕緣層與基板間的第二柵極、一設于絕緣層上的第二漏極、一設于絕緣層上的第二源極以及一設于第二漏極與第二源極間的絕緣層上的第二通道層。當第二晶體管的第二漏極與第二源極間具有此電壓差時,第二晶體管具有一第二次臨界斜率,且第二次臨界斜率大于第一次臨界斜率。
為達到上述的目的,本發明提供一種有機發光二極管顯示器的像素結構的制作方法。首先,提供一基板。然后,在基板上形成一第一柵極、一第二柵極、一絕緣層、一第一漏極、一第一源極、一第二漏極以及一第二源極。接著,在第一漏極、第一源極與絕緣層上形成一第一通道層與一第一氧化物層。隨后,在第二漏極、第二源極與絕緣層上形成一第二通道層。然后,在基板上形成一第一圖案化保護層,且第一圖案化保護層曝露出部份第二漏極。
本發明使第一晶體管的第一次臨界斜率小于第二晶體管的第二次臨界斜率,以差異化第一晶體管與第二晶體管的電流與電壓特性,使第一晶體管可具有較快的開關速度,且第二晶體管則可提供多種不同的第二漏極電流。
附圖說明
圖1至圖5為本發明一第一較佳實施例的有機發光二極管顯示器的像素結構的制作方法示意圖。
圖6為本發明第一較佳實施例像素結構的制作方法的另一實施態樣。
圖7為本發明第一較佳實施例像素結構的制作方法的又一實施態樣。
圖8為第一較佳實施例的像素結構的電路示意圖。
圖9為第一較佳實施例的第一晶體管的第一漏極電流與第一柵極以及第一源極間的電壓差的關系圖。
圖10為第一較佳實施例的第二晶體管的第二漏極電流與第二柵極以及第二源極間的電壓差的關系圖。
圖11與圖12為本發明一第二較佳實施例的有機發光二極管顯示器的像素結構的制作方法示意圖。
圖13為本發明第二較佳實施例的有機發光二極管顯示器的像素結構的上視示意圖。
圖14為在通道長度約為4微米的情況下晶體管的通道寬度與次臨界斜率的關系。
附圖標號:
10、100???像素結構???????????????12????基板
14????????第一柵極???????????????16????第二柵極
18????????絕緣層?????????????????20????第一源極
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





