[發明專利]有機發光二極管顯示器的像素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201010167036.0
• 申請日: 2010-04-22
• 公開（公告）號: CN101847654A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 謝信弘
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 樊一槿

1.一種有機發光二極管顯示器的像素結構，其特征在于，所述像素結構包括：

一基板；

一第一晶體管，設于所述基板上，且所述第一晶體管包括：

一第一柵極；

一絕緣層，覆蓋所述第一柵極與所述基板上；

一第一漏極，設于所述絕緣層上；

一第一源極，設于所述絕緣層上；以及

一第一通道層，設于所述第一漏極與所述第一源極間的該絕緣層上，其中當所述第一晶體管的所述第一漏極與所述第一源極間具有一電壓差時，所述第一晶體管具有一第一次臨界斜率；

一第二晶體管，設于所述基板上，且所述第二晶體管包括：

一第二柵極，設于所述絕緣層與所述基板之間；

一第二漏極，設于所述絕緣層上；

一第二源極，設于所述絕緣層上；以及

一第二通道層，設于所述第二漏極與所述第二源極間的所述絕緣層上，其中當所述第二晶體管的所述第二漏極與所述第二源極間具有所述電壓差時，所述第二晶體管具有一第二次臨界斜率，且所述第二次臨界斜率大于所述第一次臨界斜率；以及

一第一圖案化保護層，覆蓋部份所述第一晶體管與所述第二晶體管。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一晶體管另包括一第一氧化物層，設于所述第一通道層與所述第一圖案化保護層之間，并與所述第一通道層直接接觸，且所述第一圖案化保護層直接接觸且覆蓋所述第二通道層的一上表面。

3.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，所述第一氧化物層與所述第一通道層切齊。

4.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，所述第一氧化物層為氧化硅。

5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一通道層與所述第二通道層包括一金屬氧化物、多晶硅或非晶硅。

6.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化銦鎵鋅、氧化銦、氧化鋅或氧化鎵。

7.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一通道層部分覆蓋所述第一漏極與所述第一源極，且所述第二通道層部分覆蓋所述第二漏極與所述第二源極。

8.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一晶體管另包括一第一氧化物層，設于所述第一通道層與所述第一圖案化保護層之間，且所述第二晶體管另包括一第二氧化物層，設于所述第二通道層與所述第一圖案化保護層之間。

9.如權利要求8所述的像素結構，其特征在于，所述第一晶體管的一第一通道寬度小于所述第二晶體管的一第二通道寬度。

10.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一圖案化保護層曝露出部分所述第二漏極，且所述像素結構另包括一透明電極，設于所述第二漏極與所述第一圖案化保護層上。

11.如權利要求10所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構另包括一第二圖案化保護層、一有機發光層以及一電極，分別依序設于所述透明電極與所述第一圖案化保護層上，其中所述透明電極、所述有機發光層與所述電極構成一有機發光二極管。

12.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一晶體管為一尋址晶體管，且所述第二晶體管為一驅動晶體管，而所述第二晶體管的所述第二柵極電性連接至所述第一晶體管的所述第一漏極。

13.一種有機發光二極管顯示器的像素結構的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成一第一柵極、一第二柵極、一絕緣層、一第一漏極、一第一源極、一第二漏極以及一第二源極；

在所述第一漏極、所述第一源極與所述絕緣層上形成一第一通道層與一第一氧化物層；

在所述第二漏極、所述第二源極與所述絕緣層上形成一第二通道層；以及

在所述基板上形成一第一圖案化保護層，且所述第一圖案化保護層曝露出部份所述第二漏極。

14.如權利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述第一通道層與所述第一氧化物層同時形成。

15.如權利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述第一通道層的材料包括一金屬氧化物、多晶硅或非晶硅。