[發(fā)明專利]報(bào)警電路裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010166719.4
• 申請(qǐng)日: 2010-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN102236955A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任文華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 任文華
• 主分類號(hào): G08B23/00
• 分類號(hào): G08B23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種報(bào)警裝置，特別涉及一種開關(guān)式報(bào)警裝置。

背景技術(shù)

開關(guān)式報(bào)警裝置具有成本低、誤報(bào)率低等特點(diǎn)，其用途廣泛。現(xiàn)有的采用常閉型開關(guān)作為探測(cè)器的開關(guān)式報(bào)警裝置，即使處于設(shè)防的非報(bào)警狀態(tài)，也需要消耗較多的電能，這嚴(yán)重影響其電源的使用時(shí)間或浪費(fèi)能源。因此很有必要進(jìn)行改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是要提供一種節(jié)能的包含有常閉型開關(guān)的開關(guān)式報(bào)警裝置。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：按照本發(fā)明，一種報(bào)警電路裝置，其特征在于它包括：具有兩個(gè)輸出端的電源，用于提供直流；具有兩個(gè)輸入端的告警器，用于發(fā)出告警信號(hào)；具有漏極、源極和柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，漏極和源極作為它的二個(gè)輸入端，柵極作為它的控制端，其中的一個(gè)輸入端與告警器的一個(gè)輸入端連接，其中的另一個(gè)輸入端和告警器的另一個(gè)輸入端分別連接于電源的兩個(gè)輸出端上；具有兩個(gè)輸入端的常閉型開關(guān)，用于探測(cè)需報(bào)警的信號(hào)；電阻，它的一端與常閉型開關(guān)的一個(gè)輸入端連接，它的另一端和常閉型開關(guān)的另一個(gè)輸入端分別連接于電源的兩個(gè)輸出端上，并且它與常閉型開關(guān)的連接點(diǎn)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制端即柵極連接。

所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以為一增強(qiáng)型NMOS管，其漏極與所述電源兩個(gè)輸出端中的電位較高的輸出端連接；所述電阻不與常閉型開關(guān)連接的一端與所述電源兩個(gè)輸出端中的電位較高的輸出端連接。

所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以為一增強(qiáng)型NMOS管，其源極與所述電源兩個(gè)輸出端中的電位較低的輸出端連接；所述電阻不與常閉型開關(guān)連接的一端與所述電源兩個(gè)輸出端中的電位較高的輸出端連接。

所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以為一增強(qiáng)型PMOS管，其漏極與所述電源兩個(gè)輸出端中的電位較低的輸出端連接；所述電阻不與常閉型開關(guān)連接的一端與所述電源兩個(gè)輸出端中的電位較低的輸出端連接。

所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以為一增強(qiáng)型PMOS管，其源極與所述電源兩個(gè)輸出端中的電位較高的輸出端連接；所述電阻不與常閉型開關(guān)連接的一端與所述電源兩個(gè)輸出端中的電位較低的輸出端連接。

所述的報(bào)警電路裝置還可以包括常開型開關(guān)，其常開型開關(guān)可以并接在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和源極上。

所述的電阻，其阻值通常大于10兆歐，其阻值越大越能減少電阻上的能耗。

本發(fā)明具有如下積極效果：

本發(fā)明的報(bào)警電路裝置，在設(shè)防狀態(tài)，其場(chǎng)效應(yīng)晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)，其告警器不能獲得電源提供的電能，即這種狀態(tài)其告警器不消耗電能；另外其電阻的阻值可以選得很大如50兆歐，能有效減少電阻本身在設(shè)防狀態(tài)下的耗能。因此本發(fā)明的報(bào)警電路裝置具有顯著的節(jié)能效果。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的報(bào)警電路裝置的示意圖；

圖2是本發(fā)明的報(bào)警電路裝置的第二個(gè)實(shí)施例；

圖3是本發(fā)明的報(bào)警電路裝置的第三個(gè)實(shí)施例；

圖4是本發(fā)明的報(bào)警電路裝置的第四個(gè)實(shí)施例；

圖5是本發(fā)明的報(bào)警電路裝置的第五個(gè)實(shí)施例；

圖6是本發(fā)明的報(bào)警電路裝置的又一個(gè)實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

圖1是本發(fā)明的報(bào)警電路裝置的示意圖。從圖中可見，本發(fā)明的報(bào)警電路裝置包括：電源1，它有輸出端A和輸出端B，輸出端A的電位為正，輸出端B的電位為負(fù)；具有輸入端E和輸入端F的告警器2，用于發(fā)出告警信號(hào)，如發(fā)出聲光信號(hào)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q為一增強(qiáng)型NMOS管，它有漏極D、源極S和柵極G的，漏極和源極作為它的二個(gè)輸入端，柵極作為它的控制端，作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)輸入端的漏極D與電源1的輸出端A連接，作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的另一個(gè)輸入端的源極S與告警器2的輸入端E連接，告警器2的輸入端F與電源1的輸出端B連接；常閉型開關(guān)3，它有兩個(gè)輸入端；電阻R為一阻值很大的電阻，如50兆歐的電阻，它的一端與常閉型開關(guān)3的一個(gè)輸入端連接，它的另一端與電源1的輸出端A連接，常閉型開關(guān)3的另一個(gè)輸入端與電源1的輸出端B連接，電阻R與常閉型開關(guān)3的連接點(diǎn)H與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制端即柵極G連接。

本發(fā)明裝置處于設(shè)防工作狀態(tài)時(shí)，從圖1中容易看出，這時(shí)增強(qiáng)型NMOS管的柵極G處于低電位，增強(qiáng)型NMOS管的漏極D和源極S之間處于關(guān)斷狀態(tài)，這時(shí)告警器不能從電源1處獲取電能，所以告警器在設(shè)防工作狀態(tài)不耗能；只有當(dāng)常閉型開關(guān)探測(cè)到危險(xiǎn)信號(hào)而斷開后，增強(qiáng)型NMOS管由于這時(shí)的柵極G處于高電位而導(dǎo)通，其告警器才能獲得電源的能量并發(fā)出告警信息；由于電阻R的阻值很大，其電阻R上的耗能很小。因此本發(fā)明裝置具有很好的節(jié)能效果。