[發明專利]報警電路裝置

無效

• 申請號: 201010166719.4
• 申請日: 2010-04-21
• 公開（公告）號: CN102236955A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 任文華
• 申請（專利權）人: 任文華
• 主分類號: G08B23/00
• 分類號: G08B23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種報警電路裝置，其特征在于它包括：

具有兩個輸出端(A、B)的電源(1)，用于提供直流；

具有兩個輸入端(E、F)的告警器(2)，用于發出告警信號；

具有漏極(D)、源極(S)和柵極(G)的場效應晶體管(Q)，漏極和源極作為它的二個輸入端，柵極作為它的控制端，其中的一個輸入端與告警器的一個輸入端連接，其中的另一個輸入端和告警器的另一個輸入端分別連接于電源的兩個輸出端上；

具有兩個輸入端的常閉型開關(3)，用于探測需報警的信號；

電阻(R)，它的一端與常閉型開關的一個輸入端連接，它的另一端和常閉型開關的另一個輸入端分別連接于電源的兩個輸出端上，并且它與常閉型開關的連接點(H)與場效應晶體管的控制端即柵極連接。

2.如權利要求1所述的一種報警電路裝置，其特征在于，所述的場效應晶體管為一增強型NMOS管，其漏極與所述電源兩個輸出端中的電位較高的輸出端連接；所述電阻不與常閉型開關連接的一端與所述電源兩個輸出端中的電位較高的輸出端連接。

3.如權利要求1所述的一種報警電路裝置，其特征在于，所述的場效應晶體管為一增強型PMOS管，其漏極與所述電源兩個輸出端中的電位較低的輸出端連接；所述電阻不與常閉型開關連接的一端與所述電源兩個輸出端中的電位較低的輸出端連接。

4.如權利要求1所述的一種報警電路裝置，其特征在于，所述的場效應晶體管為一增強型NMOS管，其源極與所述電源兩個輸出端中的電位較低的輸出端連接；所述電阻不與常閉型開關連接的一端與所述電源兩個輸出端中的電位較高的輸出端連接。

5.如權利要求1所述的一種報警電路裝置，其特征在于，所述的場效應晶體管為一增強型PMOS管，其源極與所述電源兩個輸出端中的電位較高的輸出端連接；所述電阻不與常閉型開關連接的一端與所述電源兩個輸出端中的電位較低的輸出端連接。

6.如權利要求1至5之一所述的一種報警電路裝置，其特征在于，在所述的場效應晶體管的漏極和源極上還并接有一個常開型開關。