[發明專利]激光加工方法、激光加工裝置以及加工產品有效
| 申請號: | 201010165964.3 | 申請日: | 2004-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN101862907A | 公開(公告)日: | 2010-10-20 |
| 發明(設計)人: | 福滿憲志 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | B23K26/36 | 分類號: | B23K26/36;B28D5/00;H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 加工 方法 裝置 以及 產品 | ||
本申請是申請日為2004年7月16日、申請號為200480020786.8、發明名稱為激光加工方法、激光加工裝置以及加工產品的專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及激光加工方法、激光加工裝置以及加工產品。
背景技術
作為通過激光加工來切斷加工對象物的方法,在下述非專利文獻1中有所揭示。在該非專利文獻1中揭示的激光加工方法是一種切斷硅芯片的方法,其是使用透過硅質的波長為1μm左右的激光,在芯片內部集光并形成連續的改質層,通過這樣來進行切斷的方法。
非專利文獻1:荒井一尚“半導體芯片的激光切片加工”,砥粒加工學會志、Vol.47、No.5、2003MAY.P229-231。
發明內容
(發明要解決的問題)
當以上述激光加工方法對已加工的硅芯片進行切斷的情況下,必須沿著彎曲芯片的方向施加作用力,使內部龜裂來進行切斷。因此,采用使粘貼在硅芯片背面上的膠帶(tape)與硅芯片一起分離切斷的方法(擴張法),其良品率較差。
在此,本發明的目的在于提供一種能夠易于切斷加工對象物的激光加工方法以及激光加工裝置、和易于切斷的加工產品。
(解決問題的手段)
本發明的激光加工方法,包括:使集光點對準加工對象物內部來照射激光,沿著加工對象物的切斷預定線在加工對象物的內部通過多光子吸收而形成被處理部,同時,在加工對象物內部、在對應于被處理部的規定位置上形成微小空洞的工序。
在本發明的激光加工方法中,由于對應于被處理部形成有微小空洞,所以可以在加工對象物內部形成一對被處理部與微小空洞。
此外,本發明的激光加工方法,優選還包括設定切斷預定線的工序。由于其包括切斷預定線的設定工序,所以可以沿著該設定的切斷預定線形成被處理部與微小空洞。
本發明的激光加工方法,包括:設定加工對象物的切斷預定線的工序;以及使集光點對準加工對象物內部來照射激光,沿著切斷預定線在加工對象物的內部通過多光子吸收而形成被處理部,同時,在加工對象物內部、在對應于所述被處理部的規定位置上形成微小空洞的工序。
在本發明的激光加工方法中,由于對應于被處理部形成有微小空洞,所以可以在加工對象物內部形成一對被處理部與微小空洞。
此外,本發明的激光加工方法,優選加工對象物為半導體基板、被處理部為熔融處理區域。由于在半導體基板照射激光,所以可以形成熔融處理區域與微小空洞。
此外,本發明的激光加工方法,優選加工對象物為半導體基板、激光為脈沖激光、該脈沖寬度在500nsec以下。由于以脈沖寬度為500nsec以下的脈沖激光照射半導體基板,所以可以更可靠地形成微小空洞。
此外,本發明的激光加工方法,優選加工對象物為半導體基板、激光為脈沖激光、該脈沖節距為1.00~7.00μm。由于以脈沖節距為1.00~7.00μm的脈沖激光照射半導體基板,所以可以更可靠地形成微小空洞。
此外,本發明的激光加工方法,優選微小空洞沿著切斷預定線而形成多個,各個微小空洞相互之間具有間隔。由于微小空洞以相互之間具有間隔而形成,所以可以更有效地形成微小空洞。
此外,本發明的激光加工方法,優選在加工對象物的主面上形成有功能元件,微小空洞在主面與被處理部之間形成。由于在形成功能元件的主面側形成有微小空洞,所以可以提高功能元件側的割斷精度。
此外,本發明的激光加工方法,優選微小空洞是將被處理部包夾、且在激光入射側的相反側而形成。
此外,本發明的激光加工方法,優選還包括切斷形成有微小空洞的加工對象物的工序。
本發明的激光加工方法,包括:設定半導體基板的切斷預定線的工序;以及使集光點對準半導體基板的內部來照射激光,沿著切斷預定線在半導體基板的內部形成熔融處理區域,同時,在半導體基板內部、在對應于所述熔融處理區域的規定位置上形成微小空洞的工序。
在本發明的激光加工方法中,由于對應于熔融處理區域形成有微小空洞,所以可以在加工對象物內部形成一對熔融處理區域與微小空洞。
本發明的激光加工方法,包括:設定半導體基板的切斷預定線的工序;以及使集光點對準半導體基板的內部來照射脈沖激光,沿著切斷預定線在半導體基板的內部形成熔融處理區域,同時,在半導體基板內部、在對應于熔融處理區域的規定位置上形成微小空洞的工序,其中,脈沖激光的脈沖寬度在500nsec以下。
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